Сопротивление - переход
Cтраница 5
Физически, уменьшение диффузионной емкости и сопротивления гд перехода с ростом частоты можно объяснить следующим образом. Отсюда очевидно, что с ростом частоты диффузионная емкость должна уменьшаться. [61]
 |
Зависимость сопротивления коллектора транзистора от температуры. [62] |
Из соотношения (4.109) следует, что сопротивление эмиттер-ного перехода при / э / эо линейно растет с увеличением температуры. При величинах тока эмиттера / э, сравнимых с величиной / Э0, зависимость имеет падающий характер, поскольку ток / Э0 с ростом температуры увеличивается, что определяется увеличением концентрации неосновных носителей прэо и рпа. [63]
При указанных на схеме знаках смещающих напряжений сопротивление перехода эмиттер - база невелико, сопротивление же перехода база - коллектор, напротив, очень велико. [64]
При прохождении тока управления происходит резкое снижение сопротивления перехода эмиттер - коллектор ( 5 - К) транзистора, и он открывается, включая цепь рабочего тока низкого напряжения первичной цепи зажигания. [65]
Основным недостатком элементов РТЛ является значительный разброс сопротивлений переходов база-эмиттер транзисторов. [66]
 |
Оинокаскадный вариант /. С-генератора. [67] |
Недостатком варикапа как частотного модулятора является зависимость сопротивления перехода R ( рис. 9.35, б) от амплитуды внешнего напряжения. При относительно глубокой частотной модуляции, требующей значительных амплитуд модулирующего напряжения, эта зависимость приводит к существенному изменению вносимого в контур автогенератора затухания и в конечном счете к паразитной амплитудной модуляции. [68]
Страницы: 1 2 3 4 5