Сопротивление - переход
Cтраница 4
 |
Полная принципиальная электрическая схема однокаскадного транзисторного усилителя с ОЭ. [46] |
С изменением температуры изменяется сопротивление перехода база-эмиттер гбэ. Происходит перераспределение напряжения источника напряжения Е6 между сопротивлениями резисторов R6, гбз и R. Следовательно, потенциал базы относительно земли изменится. [47]
ОБ, проходящим Через сопротивление перехода база - эмиттер; такой способ смещения пригоден лишь для каскадов, работающих в режиме А. Так как сопротивление резистора Д1 во много раз больше сопротивления база - эмиттер постоянному току, значение / 0 в здесь определяется напряжением коллекторного питания Е и сопротивлением резистора RM и остается практически неизменным при изменении температуры, старении и заме -, не транзистора; поэтому такой способ подачи смещения и называют смещением фиксированным током базы. [48]
При больших амплитудах напряжения сопротивление р-п перехода становится малым по сравнению с сопротивлением базы, и последнее начинает играть ос-новную роль. [49]
 |
Типовая схема операционного усилителя. [50] |
Здесь через гк обозначено сопротивление обратно-смещенного перехода коллектор-база соответствующего транзистора, а через гэ - сопротивление открытого перехода эмиттер-база. [51]
 |
Трехкаскадный усилитель постоянного тока с промежуточным реле РМУГ. [52] |
Поскольку прямое сопротивление диода и сопротивление перехода эмиттер - база имеют практически одинаковую зависимость от температуры, эквипотенциальность входных зажимов обеспечивается и при изменении температуры. [53]
Но недостаточно измерить только величины сопротивлений переходов, чтобы сделать вывод о работоспособности транзистора. Желательно измерить обратный ток коллектора, обратный ток эмиттера и ориентировочное значение коэффициента усиления по току. Есть специальные приборы для измерения этих параметров транзисторов, например, прибор ТЛ-4М. [54]
& 0 приводит к сумме сопротивлений перехода, реакции и кристаллизации для стационарных условий. Разделение невозможно, так как анализ не может быть проведен выше примерно 100 кгц. Процессы слишком быстры для исследования переменнотоковыми методами. [55]
 |
Эквиконцентрационные поверхности при диффузии перед неоднородным электродом ( кривые не вычислялись. [56] |
Форма поляризационных кривых и зависимость сопротивления перехода или гетерогенной реакции от частоты не должны были бы изменяться. [57]
Ввиду того, что зависимость сопротивлений база-эмиттерных переходов транзисторов Т6 - Та гальванической развязки имеет такой же характер, АВУС устойчив во всем диапазоне усиливаемых сигналов. [58]
Кт отсекает отрезок, равный сопротивлению перехода. [59]
С увеличением удельного сопротивления полупроводника растет сопротивление р-п перехода и критическое поле в переходе уменьшается. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5