Cтраница 2
Затем такая двухслойная пластинка используется для изготовления триода меза по диффузионной технологии. Такая структура позволяет применять для коллекторной области низкоомный материал, что дает хорошие импульсные характеристики триода; в то же время достаточно большое пробивное напряжение и малая емкость коллекторного перехода обеспечиваются высокоомным эпитаксиальным слоем. [16]
В настоящее время метод широко применяется при изготовлении триодов в том случае, когда на поверхности германия необходимо вырезать мелкий сложный рисунок. [17]
Эти обстоятельства требуют более тонкой технологии при изготовлении СВЧ триодов, без чего параметры ламп с повышением частоты быстро ухудшаются. [18]
Предположим, что образец германия, предназначенный для изготовления триода, обладает необходимым удельным сопротивлением, хорошей подвижностью носителей тока и другими нужными свойствами, а также прошел надлежащую поверхностную обработку. [19]
Но в соответствии с собирательной ролью коллектора при изготовлении триода площадь коллекторного перехода р-п делается больше площади эмиттерного перехода ( рис. 12 - 11), что соответственно нарушает симметрию прибора. [21]
При комнатной температуре для обычного германия, идущего на изготовление триодов и имеющего удельное сопротивление, равное нескольким ом см, постоянная Холла составляет приблизительно 10000 для дырочных образцов и 20000 для электронных. [22]
![]() |
Устройство транзисторов. [23] |
В последнее время широко используют так называемую планарную технологию изготовления триодов, основой которой является фотолитография. На поверхность полупроводниковой пластинки с полученными в ней диффузионным способом р-л-переходами наносится фоточувствительный защитный слой, а затем с помощью фотокамеры и фотомаски проектируются изображения будущих электродов транзистора. После проявления и промывки защитный слой остается только в тех местах, на которые падал свет при проектировании фотомаски. В травильной ванне незащищенные участки поверхности полупроводниковой пластинки стравливаются. Таким образом, в едином технологическом цикле получается партия транзисторов, к которым надо припаять выводы соответствующих электродов. [24]
Ввиду многочисленности факторов, с которыми приходится сталкиваться при изготовлении триодов, даже такая оценка не всегда может считаться окончательной. [25]
За исключением создания сплавной электронно-дырочной структуры и ее травления, технологический процесс изготовления триодов включает еще две важные операции: монтаж пластинки с переходом на ножку и помещение прибора в корпус. В дальнейшем будут рассмотрены основные технологические положения, относящиеся к сборке сплавных триодов, и типичные примеры конструирования приборов различного назначения. [26]
Управление свойствами структуры и электронно-дырочных переходов, разделяющих ее области, является основой изготовления триодов с необходимыми электрическими характеристиками, которые зависят от площади, формы и плоско-параллельности переходов, их взаимного расположения, а также от объемных свойств полупроводника в области базы, эмиттера и коллектора. [27]
![]() |
Схема включения полупроводникового. [28] |
В США недавно были созданы полупроводниковые триоды с повышенными характеристиками, а также разработаны новые способы изготовления триодов. В отличие от обычных триодов, усиливающих электрический ток в 50 раз, они обеспечивают усиление электрического тока в несколько сот раз. [29]
Тип проводимости определяется химическим составом примеси, вносимой в химически чистый герма-кий ( кремний) в процессе изготовления триода. [30]