Изготовление - триод - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Земля в иллюминаторе! Земля в иллюминаторе! И как туда насыпалась она?!... Законы Мерфи (еще...)

Изготовление - триод

Cтраница 4


Зависимость сопротивления коллектора гс от удельного сопротивления германия, установленная также экспериментальным путем, показана на фиг. Связь сопротивления гс с сопротивлением р исходного материала трудно предсказать теоретически, так как характеристики коллекторного перехода в основном определяются электрическим режимом формовки. Было установлено, что величина гс уменьшается при более интенсивной формовке. Поэтому увеличение гс с повышением р указывает лишь на то, что при изготовлении триодов с высоким значением величины а ( а-2 5 - 3 0) следует применять более легкий режим формовки.  [46]

Конверсионные триоды, как было отмечено, сочетают в себе сравнительно высокие мощности и частоты, однако обладают недостатком диффузионных триодов - низкое напряжение U эб. Технологически этот триод перспективен, относительно легко осваивается в производстве и выпускается с довольно высоким процентом выхода уже на ранних стадиях освоения. Технология допускает изготовление триодов только на основе германия. Конверсионный, способ является одним из способов, приближающих транзисторные усилители к ламповым по произведению мощности на частоту, которое у ламп достигает нескольких десятков тысяч.  [47]

48 Сплавной диффузионный триод. а - схема триодной структуры. 6-вывод базы в виде зонда. в - вывод базы через соединительный слой. 1-эмнттер-ная навеска. 2 - рекристаллизованная р-область ( эмиттер. 3 - диффузионная область базы. 4 - исходный материал ( коллектор. 5 -вывод базы. 6 - вывод коллектора. 7 - соединительный слой. [48]

Диффузионный триод в таком исполнении, как мы его только что рассмотрели, довольно сложен технологически. Основная трудность состоит в необходимости получить тонкий равномерный базовый слой. Его толщина для обеспечения хороших частотных характеристик должна составлять единицы микрон. Так как базовый слой располагается довольно близко от поверхности, на его однородность могут повлиять всевозможные поверхностные дефекты, которые могут иметь размеры тоже порядка единиц микрон. Таким образом, при изготовлении триодов методом двойной диффузии к обработке поверхности исходной пластинки полупроводника предъявляются весьма высокие требования.  [49]

Механическая точность является одним из основных требований при изготовлении всех типов триодов. Во многих случаях разброс электрических параметров зависит от соблюдения механических допусков в процессе изготовления приборов. Электрохимическая технология успешно применяется при изготовлении триодов с допусками на геометрические размеры менее 1 мк. Как уже сообщалось в работе [26], предельная частота коэффициента усиления по току а у экспериментальных образцов поверхностно-барьерных триодов лежит между 35 и 50 Мгц. Ниже описаны основные электрохимические процессы применяемые при изготовлении германиево-индиевых поверхностно-барьерных триодов, и показана возможность соблюдения высоких допусков при изготовлении триодов.  [50]

Для изготовления мезатриода ( меза по-испански - стол) в приповерхностные области полупроводниковой пластины с обеих сторон вводится диффузией легирующей примеси. С обратной стороны пластины легированный слой сошлифовы-вается. Через щелевой трафарет осаждаются островки металлической пленки, которые служат выводами эмиттерной области и базы. Эмиттерный контакт на пластине кремния наносится из алюминия, а базовый из золота. Нанесенные контакты вплавляются при высокой температуре. Планерная ( плоскостная) технология позволяет осуществить микроминиатюризацию, если участок, несущий на себе базу и эмиттер, защищать при травлении фоторезистом. Такая технология является предшественницей современных методов создания полупроводниковых микросхем. Так, последовательность операций при изготовлении планар-ного триода ( рис. 8 - 1) состоит из получения трехслойной ( п-р - п или р-п - р) области с плоскостями / т-перехо-дов, параллельными поверхности, и металлических контактов, выведенных на эту поверхность. Первый важный этап состоит в проведении диффузии легирующей примеси из поверхностного источника в приповерхностный участок заданной формы, имеющий определенную глубину и размеры в плоскости подложки.  [51]



Страницы:      1    2    3    4