Изготовление - триод
Cтраница 3
К сожалению, условия этого опыта представляют более академический, нежели практический интерес. Практически при изготовлении триодов и обеспечении надежности их работы мы сталкиваемся с более сложным случаем поверхностной проводимости, обусловленной как каналом под поверхностью германия, так и подвижными ионами на поверхности образца. Более того, при наличии подвижных ионов взаимодействие ионной и канальной проводимости на поверхности еще больше запутывает проблему. [31]
Методика получения германия вплоть до процесса вытягивания монокристаллов из расплава совершенно идентична в обоих случаях. Но дальнейшие стадии изготовления триодов п-р - п - и р-п-р-тнпа существенно различаются. [32]
Следует особо отметить, что ток 1т зависит только от общего числа некомпенсированных примесей в базе, а не от характера их распределения. С точки зрения простоты изготовления триодов методом двойной диффузии оказалось удобным создавать эмиттерный и базовый слои приблизительно одной и той же толщины. Было установлено, что нагрев до высокой температуры снижает время жизни в кремнии как электронной, так и дырочной проводимости. Базовый и эмиттерный слои были подвергнуты одинаковой термической обработке, и в первом предположении можно считать, что время жизни в обеих областях в сущности одно и то же. Таким образом, предположения ( 1) и ( 2) также применимы и в случае тока, текущего от базы к эмиттеру. [33]
Параметры триода, зависящие от объемных свойств полупроводника, под влиянием формовки изменяются лишь в некоторой степени. Специальные требования к формовке предъявляются при изготовлении триодов с заданной предельной частотой усиления fca. Величина / с а измеряется обычно после каждого разряда. Некоторые триоды, предназначенные для переключения, формуются по виду входной характеристики; это удобнее, чем оценивать характеристику по таким параметрам, как сопротивление базы, частотные свойства и коэффициент усиления по току. [34]
На кремнии р-типа удается получить лунки с гладкой поверхностью дна без дополнительного освещения. Вследствие высокой электропроводности электролита кремний растворяется по всей поверхности, поэтому в щелочных растворах вытравить четко очерченное углубление не удает ся. При изготовлении кремниевых поверхностно-вплав-ных триодов в кремнии n - типа вытравливаются лунки, на дно которых через специальные маски напыляется алюминий; последний затем вплавляется в специальных печах. [35]
Коллекторный и эмиттерный переходы триода можно вплавлять как одновременно, так и последовательно. Одновременное вплавление сокращает продолжительность процесса, уменьшает возможность загрязнения пластинки из-за перезарядки кассет, а также ее поломки. Одновременное вплавление применяется для изготовления триодов как с малыми, так и с большими переходами ( фиг. [36]
Механическая стабильность точечных прижимных контактов зависит главным образом от их конструкции. Если триод должен выдерживать удары или вибрацию, то усилие в контакте должно быть значительным по сравнению с инерцией массы электрода. Это требование удовлетворяется при изготовлении триодов с контактными электродами в форме маленьких пружинок, у которых отношение жесткости к массе велико и которые обеспечивают при сборке достаточно хороший постоянный контакт, будучи прижаты к поверхности полупроводника. Такие пружинки имеют высокую частоту механического резонанса, что практически исключает повреждение их при вибрациях или неаккуратном обращении. [37]
Механическая точность является одним из основных требований при изготовлении всех типов триодов. Во многих случаях разброс электрических параметров зависит от соблюдения механических допусков в процессе изготовления приборов. Электрохимическая технология успешно применяется при изготовлении триодов с допусками на геометрические размеры менее 1 мк. Как уже сообщалось в работе [26], предельная частота коэффициента усиления по току а у экспериментальных образцов поверхностно-барьерных триодов лежит между 35 и 50 Мгц. [38]
 |
Схема струйного нлект-ролитического травления ( а и микросплавной триод с нанесенными электродами ( б. [39] |
При этом границы областей р и п получаются менее резкими, чем при методе вплавления, а удельное сопротивление области эмиттера - не очень низким. Последнее обстоятельство приводит к снижению эффективности эмиттера. Одной из технологических трудностей при изготовлении выращенных триодов является присоединение вывода базы. [40]
 |
Устройство транзисторов. [41] |
Высокоомная эпитаксиальная пленка / ( рис. 2.18, б) наращивается на подложку - полупроводниковую пластинку с малым удельным сопротивлением, которая впоследствии используется в качестве коллектора. В результате реакции в закрытой камере паров хлоридных и иодидных соединений полупроводника с водородом выпадает чистый полупроводник, который и осаждается на поверхность полупроводниковой подложки, образуя тонкую пленку высокого омического сопротивления. Изготовленная таким способом двухслойная пластинка используется далее для изготовления триода типа меза. Электронно-дырочный переход получается между эпитаксиальным слоем и базой. Эпитаксиальный слой обеспечивает малую емкость p - n - перехода и большое пробивное напряжение коллектора. [42]
Так как окись германия немного растворяется в воде и так как пробивное напряжение связано с состоянием оксидного слоя, то очевидно, что снижение пробивного напряжения после промывки происходит вследствие растворения слоя окиси германия, оставшейся на поверхности после травления. Промывка в воде, насыщенной воздухом, более благоприятна для сохранения и образования окислов. Приведенные данные показывают, что даже незначительная разница в деталях технологического процесса изготовления триодов может приводить к различным результатам. [43]
 |
Форма электрода при электролитическом заострении при правильно выбранном времени травления ( а и слишком большом времени травления ( 6. [44] |
Технология его наиболее проста. Он дает возможность получить эмиттер с достаточно хорошей эффективностью, обеспечивает высокое значение усиления по току при изготовлении триодов и высокое обратное напряжение при изготовлении диодов. [45]
Страницы: 1 2 3 4