Сопротивление - эмиттер
Cтраница 1
Сопротивление эмиттера ( га) определяется из отношения изменения напряжения между базой и эмиттером к вызвавшему его изменению тока коллектора при постоянном токе базы. [1]
Сопротивление эмиттера ( R) определяется из отношения изменения напряжения между базой и эмиттером к вызвавшему его изменению тока коллектора при постоянном токе базы. [2]
Сопротивление эмиттера - параметр транзистора, появляющийся при составлении Т - образных эквивалентных схем транзистора. [3]
Сопротивление эмиттера - параметр биполярного транзистора, появляющийся при составлении Т - образных эквивалентных схем транзистора. [4]
 |
Температурная зависимость основных параметров транзистора. [5] |
Сопротивление эмиттера согласно (5.33) растет с температурой. [6]
Сопротивление эмиттера не зависит от площади эмиттер-ного электрода и определяется только постоянным током эмиттера. Так как высокочастотные транзисторы имеют меньшую площадь перехода и меньшую величину зарядной емкости, то влияние последней на эффективность эмиттера на высоких частотах будет значительно ослаблено. Однако при малых толщинах базы влияние у на ход частотной характеристики а может оказаться существенным. [7]
Сопротивление эмиттера транзистора второго каскада, как это следует из проведенного ранее расчета, гэ2 4 5 ом. [8]
Определим сопротивления эмиттера, коллектора и базы. [9]
 |
Транзистор как два диодных перехода. выводы корпуса ТО-92. [10] |
Обычно сопротивление эмиттера намного меньше RE, и им можно пренебречь. [11]
Величина сопротивления эмиттера гэ для переменного тока ia определяется вольтамперной характеристикой эмиттерного перехода. [12]
Определим значение сопротивлений эмиттера, коллектора и базы. [13]
С ростом тока сопротивление эмиттера уменьшается и весь ток протекает через него, вольтамперная характеристика описывается кривой 2, вследствие чего и образуется участок отрицательного сопротивления. [14]
Таким образом, сопротивление эмиттера у бездрейфового транзистора меньше, чем у дрейфового, примерно вдвое. Это обусловлено тем, что сопротивление эмиттера в бездрейфовых транзисторах отражает не только изменение тока эмиттера при изменении напряжения, но и учитывает влияние модуляции толщины базы. В дрейфовых транзисторах ток эмиттера в значительной степени определяется электрическим полем; следовательно, роль модуляции толщины базы в данном случае меньше. [15]
Страницы: 1 2 3 4