Сопротивление - эмиттер
Cтраница 3
Триггер Шмитта представляет собой двухкаскад-ный усилитель с положительной обратной связью Обратная связь осуществляется через сопротивление эмиттера, общее для обоих каскадов. В зависимости от входного сигнала один из каскадов полностью открыт, а другой закрыт. Переключение из одного состояния в другое занимает очень короткое время. Это делает триггер Шмитта пригодным для использования даже со входными сигналами высокой частоты. [31]
 |
Эквивалентная схема транзистора для определения характера входного сопротивления.| Векторные диаграммы токов и напряжений транзистора. [32] |
Эквивалентная схема транзистора с заземленной базой дана на рис. 4.33. Емкость Сэ, включенная параллельно сопротивлению эмиттера гэ, представляет собой сумму диффузионной и барьерной емкостей эмиттера. Сопротивление коллектора существенно не влияет на входное сопротивление и поэтому опущено. [33]
Необходимо отметить, что часть сопротивления растекания связана с сопротивлением гь и уже учтена в уравнении (1.21), часть сопротивления эмиттера ге, обусловленная сопротивлением растекания, прямо пропорциональна удельному сопротивлению германия. Часть же сопротивления эмиттера ге, обусловленная сопротивлением перехода, может быть определена дифференцированием уравнения вольтампер-ной характеристики этого перехода. [34]
К основным параметрам плоскостных транзисторов относятся: коэффициент усиления по току, коэффициент усиления по мощности, сопротивление коллектора, сопротивление эмиттера, сопротивление базы, коэффициент шума, обратный ток коллектора, емкость коллектора. [35]
В области прямых напряжений реальная характеристика проходит ниже теоретической, что объясняется падением внешнего напряжения на сопротивлении базы диода ( сопротивлением эмиттера можно пренебречь, так как концентрация примесей в нем значительно больше, чем в базе), которое не учитывалось при выводе уравнения вольтамперной характеристики. Напряжение, действующее на яр-переходе реального диода, определяется соотношением ип и - ir B, где и - внешнее напряжение, под водимое к диоду; г ъ - омическое сопротивление базы. [36]
Различие во влиянии этих емкостей на постоянную времени схемы объясняется тем, что ток, замыкающийся через емкость Ск, не проходит через сопротивление эмиттера rs и поэтому не влияет на ток зависимого генератора, в то время как ток, замыкающийся через емкость Сн, частично проходит по этому сопротивлению и оказывает прямое воздействие на ток зависимого генератора тока. [37]
 |
Структура р-п-р-транзистора ( а, его энергетическая диаграмма при рабочих смещениях ( б и распределение концентрации носителей ( в и плотностей тока ( г. [38] |
Такая схема может дать усиление по мощности, так как токи эмиттера и коллектора почти равны, но величина нагрузочного сопротивления RH много больше сопротивления эмиттера при прямом смещении. Коллекторный ток создает на нагрузочном сопротивлении падение напряжения IKRS, которое смещает коллектор в прямом направлении. Поэтому для нормальной работы транзистора необходимо, чтобы величина напряжения источника питания коллектора V была всегда больше IKRn - На этом основан принцип действия р-п-р-транзистора. [39]
Покажите, что входное сопротивление Явх в схеме на рис. 8.24 примерно равно га Яб ( 1 - а), где гэ - сопротивление эмиттера. [40]
В усилителе с заземленным эмиттером коэффициент усиления по напряжению больше, но вносятся искажения выходного сигнала из-за того, что между эмиттером и землей только сопротивление эмиттера. [41]
 |
Схема генератора, в которой транзистор, включенный с общей базой ( а, заменен его эквивалентной схемой ( б. [42] |
Эквивалентная схема, представленная на рис. 1.20, б, отличается от схемы на рис. 1.20, а лишь тем, что на ней индуктивность и сопротивление эмиттера опущены, поскольку они включаются последовательно с бесконечным сопротивлением источника возбуждения. Эта схема по конфигурации совпадает сосмехой на рис. 1.15, в, которая была использована для определения формы токов в схеме с ОЭ. [43]
На этой схеме обозначены: Л / э - ток эмиттера, j [ 2 / K - ток коллектора, Rg, R6 и RK - соответственно сопротивления эмиттера, базы и коллектора. [44]
Усиление по напряжению и по мощности, обеспечиваемое полупроводниковыми транзисторами, определяется не только его собственными характеристиками, но зависит также и от параметров схем включения, в частности, от соотношения сопротивлений эмиттера и нагрузки. В отличие от а 1 коэффициенты усиления по напряжению или по мощности полупроводниковых транзисторов характеризуются одинаковым порядком величины и могут составлять десятки тысяч, что обеспечивает эффективное их применение для усиления и генерации электрических колебаний в широком диапазоне. [45]
Страницы: 1 2 3 4