Сопротивление - эмиттер
Cтраница 2
С увеличением тока сопротивление эмиттера падает и определяющим процессом становится перенос носителей через базу. [16]
Таким образом, сопротивление эмиттера у бездрейфового транзистора меньше, чем у дрейфового, примерно вдвое. Это обусловлено тем, что сопротивление эмиттера в бездрейфовых транзисторах отражает не только изменение тока эмиттера при изменении напряжения, но и учитывает влияние модуляции толщины базы. В дрейфовых транзисторах ток эмиттера в значительной степени определяется электрическим полем; следовательно, роль модуляции толщины базы в данном случае меньше. [17]
Рассмотрим несколько подробнее усреднение сопротивления эмиттера гэ. [18]
Другая составляющая г02 пропорциональна сопротивлению эмиттера, связана с составляющими коэффициента передачи тока и сильно зависит от величины тока эмиттера и температуры. [19]
При изменении напряжения на коллекторе сопротивление эмиттера зависит также от напряжения коллектора, поскольку последнее изменяет толщину базового слоя, а следовательно, и сопротивление обратной связи. [20]
При изменении напряжения на коллекторе сопротивление эмиттера зависит также от напряжения коллектора, так как последнее изменяет толщину базового слоя, а следовательно, и сопротивление обратной связи. [21]
Ими являются: сопротивление коллектора, сопротивление эмиттера, сопротивление базы, параметр обратной передачи [ лэк и параметры прямой передачи а и В. [22]
Из соотношения (4.101) видно, что сопротивление эмиттера гэ с ростом постоянной составляющей тока эмиттера / э уменьшается по гиперболическому закону. [23]
Основными параметрами плоскостных триодов являются сопротивление коллектора, сопротивление эмиттера, сопротивление базы, коэффициент усиления по току, фактор шумов, обратный ток коллектора и емкость коллектора. [24]
 |
Эквивалентная схема на низких частотах.| Эквивалентная входная схема при большой емкости Cg.| Асимптотический график зависимости отношения токов ( уменьшение коэффициента усиления по току. [25] |
Проблема шунтирования катодного сопротивления отчасти аналогична проблеме шунтирования сопротивления эмиттера. На рис. 8 - 61 представлена сту - пень усиления на транзисторе для низких частот, L включающая в себя как конденсатор связи, так лв и шунтирующий. [26]
Даны величины параметров Т - образной эквивалентной схемы: сопротивление эмиттера гэ 28 ом, сопротивление базы гб 200 ом, сопротивление коллектора гк6 7 105 ом, сопротивление эквивалентного генератора напряжения г, 6 5 Ю5 ом. [27]
Используя полученное в § 5.9 выражение (5.149), можно установить, что сопротивление эмиттера обратно пропорционально току эмиттера. [28]
 |
Электрические схемы для исследования переходных явлений в транзисторах. [29] |
Эту цепь используют также для исследования 1СО, однако в этом случае к 75-омному сопротивлению эмиттера напряжение не прикладывается и контролируется ток базы. В течение импульса излучения наблюдается переходное увеличение тока 1СО как в германии, так и в кремнии. Во всех исследованных транзисторах переходные токи утечки примерно повторяли импульс излучения. [30]
Страницы: 1 2 3 4