Сопротивление - эмиттер
Cтраница 4
 |
Зависимость IK f ( i при различных значениях Re. [46] |
Приведенный анализ и экспериментальные исследования теплового пробоя и самопрогрева транзистора при потенциометрическом питании цепи базы показывают, что в этом случае на указанные процессы влияет не только температурная зависимость / ко, о и температурная зависимость сопротивления эмиттера гэ. В связи с этим возникает необходимость в детальном исследовании этой зависимости для большинства типов транзисторов, используемых в предельных режимах. Зависимость гэ от температуры и тока эмиттера должна приводиться в справочных листах на транзисторы. [47]
При рассмотрении схемы замещения транзистора ( рис. 6.5, а) было установлено, что его р - n - переходы имеют емкости, которые в схеме замещения учтены конденсаторами Сэ ( емкость эмиттерного перехода) и Ск ( емкость коллекторного перехода), причем эти емкости шунтируют сопротивление эмиттера г8 и коллектора гк. С увеличением рабочей частоты емкостные сопротивления эмиттера и коллектора уменьшаются и их шунтирующее влияние возрастает. [48]
 |
Изменение тепловых токов / КБО ( а и коэффициентов передачи ( б при изменении температуры. [49] |
Сопротивление эмиттера г, с увеличением температуры возрастает. С, а затем несколько уменьшаются: гк - за счет утечек и ударной ионизации; г ь - за счет увеличения проводимости базы. [50]
Порядок их величин примерно следующий. Сопротивление эмиттера rg составляет десятки ом для плоскостных триодов и сотни ом для точечных. [51]
Практически сопротивление эмиттера исчисляется десятками омов, а цепи коллектора - сотнями тысяч омов. Изменяя величину сопротивления в цепи коллектора от нескольких десятков тысяч ом до однфо-двух миллионов ом, можно в широких пределах изменять величину напряжения, а значит и мощность в цепи коллектора. [52]
Примеры, приведенные в этой главе, предназначены для иллюстрации принципов составления графов, изложенных в предыдущих разделах. Учет сопротивлений эмиттера и базы дает более сложную эквивалентную схему фиг. [53]
Необходимо отметить, что часть сопротивления растекания связана с сопротивлением гь и уже учтена в уравнении (1.21), часть сопротивления эмиттера ге, обусловленная сопротивлением растекания, прямо пропорциональна удельному сопротивлению германия. Часть же сопротивления эмиттера ге, обусловленная сопротивлением перехода, может быть определена дифференцированием уравнения вольтампер-ной характеристики этого перехода. [54]
 |
Зависимость частоты а1 от тока эмиттера. [55] |
С увеличением тока сопротивление эмиттера падает и определяющим процессом становится перенос носителей через базу. При этом возникновение электрического поля в базе приводит к дальнейшему росту от. Это ведет к снижению ют. [56]
Страницы: 1 2 3 4