Объемное сопротивление - база
Cтраница 1
Объемное сопротивление базы г б практически не зависит от частоты. [1]
 |
Зависимости параметров четырехполюсника, эквивалентного полупроводниковому триоду, от температуры. [2] |
Объемное сопротивление базы прямо пропорционально ее удельному сопротивлению. [3]
Объемное сопротивление базы определяется геометрией транзистора ( конфигурацией базы в активной и пассивной ее частях), удельным сопротивлением материала базы и сопротивлением базового контакта. При замене распределенного сопротивления базовой области сосредоточенным вносится некоторая погрешность, так как в отдельных участках базы плотность тока и падение напряжения на них различны. [4]
Объемное сопротивление базы г ъ дрейфового транзистора зависит от размеров эмиттерной капли и расположения эмиттера относительно базы. [5]
Объемное сопротивление базы г & изменяется с температурой, поскольку изменяется удельное сопротивление полупроводника. Для кремниевых транзисторов характерно монотонное возрастание r с температурой, для германиевых, как правило, rg имеет максимум при температуре 20 - 70 С. [6]
Объемное сопротивление базы гб модулируется при больших токах эмиттера. Эта модуляция имеет место в первую очередь в активной области базы. [7]
 |
Зависимость статических параметров транзистора от температуры. [8] |
Объемное сопротивление базы гб меняется с температурой постольку, поскольку меняется удельное сопротивление. Зависимость р ( Т) в общем случае, как известно, нелинейна ( см. § 1 - 9); во многом ока зависит от концентрации примесей в базовом слое. В случае относительно низкоомной базы ( Рб рг), что характерно для кремниевых транзисторов, сопротивление гб монотонно возрастает в рабочем диапазоне температур. В случае германиевых транзисторов база нередко бывает относительно высокоомной ( рб р); тогда сопротивление rg имеет максимум при температуре 20 - 70 С ( рис. 4 - 20), после чего уменьшается, поскольку примесный полупроводник постепенно превращается в собственный. [9]
 |
Моделирующая схема транзистора для СВЧ области.| Модификация Т - образных НЧ схем, учитывающая емкость коллекторного перехода. [10] |
Объемное сопротивление базы гб определяется справочными данными на транзистор или экспериментальным путем. [11]
Объемное сопротивление базы гб модулируется при больших токах эмиттера. Эта модуляция имеет место в первую очередь в активной области базы. [12]
Модуляция объемного сопротивления базы обусловливает изменение сопротивления диода по мере накопления или рассасывания носителей в базе. Количественно этот эффект характеризуется импульсным сопротивлением диода гя имп и временем установления прямого сопротивления / уст. Импульсное сопротивление представляет собой отношение амплитуды импульса напряжения на диоде к заданному прямому току. Время установления / уот определяется продолжительностью всплеска импульса напряжения на диоде при его отпирании. [13]
Произведение объемного сопротивления базы на емкость коллектора называют постоянной времени цепи обратной связи Гб Ск. Эта величина характеризует обратную связь на высокой частоте и является одним из основных параметров транзистора. Постоянная времени цепи обратной связи определяет максимальную частоту генерации / макс - наибольшую частоту автоколебаний генератора на транзисторе. По существу / макс - это частота, на которой коэффициент усиления по мощности транзистора с согласованными входом и выходом равен единице. [14]
Таким образом, объемное сопротивление базы является одним из факторов, влияющих на изменение выходного сопротивления транзистора с частотой. [15]
Страницы: 1 2 3 4