Объемное сопротивление - база
Cтраница 2
Дополняя теоретическую модель объемным сопротивлением базы г б, мы допускаем одну неточность, подменяя распределенное сопротивление базы сосредоточенным, как бы внешним по отношению к триоду. [16]
 |
Эквивалентная схема выхода ( 222. а полная эквивалентная схема. б пересчитанная RC-цепь. [17] |
Рассмотрим влияние, которое может оказать объемное сопротивление базы г 5 на выходное сопротивление транзистора. [18]
Сильное влияние на частотные свойства транзисторов оказывает объемное сопротивление базы, которое определяется геометрическими размерами базы и концентрацией примесей в ней. [19]
Как будет показано ниже, в линейном приближении объемное сопротивление базы может быть учтено чисто формально при составлении эквивалентной схемы триода. [20]
 |
Полная эквивалентная схема триода с общей базой в режиме малого сигнала. [21] |
На рис. 1 - 4 последовательно с идеальным триодом включено объемное сопротивление базы гб0, которое не было ранее принято в расчет. [22]
В дальнейшем с увеличением тока все больше сказывается влияние объемного сопротивления базы, а также других процессов, харак - терных для относительно высокого уровня инжекции. [23]
Величина диффузионного сопротивления базы ( без учета эффекта модуляции объемного сопротивления базы) может быть рассчитана следующим образом. [24]
Ясно, что при распределении примесей в базе по экспоненте объемное сопротивление базы будет выше, чем в случае резкого перехода от сильнолегированной области к слаболегированной. Это является недостатком данного закона распределения. Однако этот закон обладает одним интересным положительным свойством, определяющим особенности работы транзистора, обладающего рассматриваемой структурой. [25]
При увеличении обратного тока через диод увеличивается падение напряжения на объемном сопротивлении базы диода. Таким образом, при пробое дифференциальное сопротивление диода стремится к значению, определяемому объемным сопротивлением полупроводника. [26]
При больших токах / э падение входного напряжения определяется в основном объемным сопротивлением базы Гб, поэтому вольт-амперная характеристика на этом участке приближается к линейной. При увеличении отрицательных значений С / КБ кривые смещаются к оси токов. Это смещение характеристики свидетельствует о наличии в транзисторе внутренней обратной связи, обусловленной эффектом модуляции ширины базы. [27]
Другая причина отличия реальной ВАХ от (2.5) обусловлена падением напряжения на объемном сопротивлении базы. Эта причина проявляется при относительно больших токах. [28]
Другая составляющая электрического поля в базе диода является следствием прохождения тока через объемное сопротивление базы. [29]
Наиболее серьезное влияние оказывает барьерная емкость коллекторного перехода, которая через часть объемного сопротивления базы гб оказывается включенной параллельно резистору нагрузки Дн. [30]
Страницы: 1 2 3 4