Объемное сопротивление - база
Cтраница 4
Соотношение (3.92) представляет собой полное значение напряженности электрического поля, включающее поле, связанное с падением напряжения на объемном сопротивлении базы, и поле, обусловленное ЭДС Дембера. [46]
При высоком уровне инжек-ции доля инжектированных в базу дырок в общей концентрации подвижных носителей зарядов оказывается весьма значительной и объемное сопротивление базы может заметно уменьшиться. Это явление называют модуляцией сопротивления базы. [47]
Таким образом, транзистор, предназначенный для работы в диапазоне высоких частот, должен иметь малую толщину базы, малое объемное сопротивление базы и малую емкость коллектора. Эти требования противоречивы: уменьшение толщины базы увеличивает сопротивление гб; уменьшение сопротивления гб ( увеличение концентрации примесей в базе) увеличивает емкость коллекторного перехода Ск. Поэтому предельные частоты бездрейфовых транзисторов обычно относительно низки. [48]
 |
Схема, обеспечивающая режим каскада ОБ.| Простейшая схема, обеспечивающая режим каскада ОЭ. [49] |
Структура его вполне соответствует обобщенной схеме ( см. рис. 6 - 2), если под сопротивлением RB понимать только объемное сопротивление базы гб. При токах эмиттера до 10 - 50 мА, легко выполняется условие ( 6 - 9) и стабильность будет весьма высокой. [50]
По мере того как постоянная составляющая тока базы возрастает до такого значения, что гь е становится значительно меньше последовательно-включенного сопротивления генератора и объемного сопротивления базы, входные характеристики становятся более-линейными. Таким образом, если искажения, вызываемые нелинейностью входных характеристик, необходима свести к минимуму, транзистор должен работать с низким входным сигналом иди высокой постоянной составляющей тока базы. [51]
Страницы: 1 2 3 4