Объемное сопротивление - база
Cтраница 3
В момент изменения направления тока эмиттера происходит изменение полярности падения напряжения на объемном сопротивлении базы от тока эмиттера. [31]
В момент изменения направления тока эмиттера происходит изменение полярности падения напряжения на объемном сопротивлении базы. [32]
Индекс бк указывает на то, что бк отражает воздействие напряжения коллектора на объемное сопротивление базы. [33]
Постепенный процесс распространения концентрации носителей от границ перехода в толщу базы вызывает уменьшение объемного сопротивления базы и увеличение тока базы. [34]
Широкий диапазон электрических характеристик, хорошие высокочастотные свойства, малые величины емкостей и объемного сопротивления базы являются преимуществами дрейфовых транзисторов. [35]
Внутренняя обратная связь по напряжению оказывает большее влияние на работу транзистора, чем изменения объемного сопротивления базы. Поэтому при расчетах изменениями величины rg обычно пренебрегают. [36]
 |
Эквивалентная схема транзистора при включении его по схеме с ОБ ( а и общая схема транзистора как четырехполюсника ( б. [37] |
Общая ветвь входной и выходной цепей в эквивалентной схеме содержит омическое сопротивление ге, представляющее собой объемное сопротивление базы, учтенное в направлении прохождения базового тока. [38]
Коллекторное сопротивление биполярных транзисторов имеет обычно величину не менее нескольких сотен килоом, тогда как объемное сопротивление базы гз не превышает нескольких сотен ом. [39]
При переключении напряжения с прямого на обратное обратный ток достигает значительной величины, определяемой лишь объемным сопротивлением базы, достаточно малым в этот момент из-за большой концентрации инжектированных носителей. В дальнейшем наблюдается снижение концентрациирп до нуля ( в результате экстракции дырок через переход и ток гд постепенно уменьшается до стационарного значения. [40]
 |
Компоненты обратного тока в кремниевом ( а и германиевом ( б диодах. [41] |
Первое слагаемое в этом уравнении характеризует поле в базе, возникающее из-за падения напряжения на объемном сопротивлении базы при протекании тока; второе слагаемое определяет поле, появляющееся в результате градиента концентрации основных и неосновных носителей. [42]
Так как протекающий через сопротивление г ток базы представляет собой разностный ток цепей Эмиттера и коллектора, то объемное сопротивление базы связывает по току эти цепи. Для снижения потерь во входной цепи и уменьшения паразитной внутренней обратной связи между выходной и входной цепями желательно уменьшать величину г в. Наоборот, для повышения входного сопротивления величину / б желательно увеличивать. [43]
Объяснить эту особенность можно тем, что в схеме с общим эмиттером при включении транзистора падение напряжения на объемном сопротивлении базы создает прямое напряжение для части коллектора, примыкающей к пассивной части базы. [45]
Страницы: 1 2 3 4