Обратное сопротивление - диод
Cтраница 1
Обратное сопротивление диода Rb % находится из отношения максимального значения обратного напряжения иьтах к максимальному значению обратного тока / umax. Величины ОьтЯх и / 6Шах являются параметрами прибора. [1]
Инерционность обратного сопротивления диода приводит к ухудшению его частотных характеристик, особенно вредно это сказывается при работе диодов в импульсных схемах. [2]
 |
Принципиальная схема выпрямительного фазометра Н382. [3] |
Пренебрегая обратными сопротивлениями диодов Д, Д4 и применяя один ив методов расчета линейных цепей, легко определить мгновенное значение тока в измерителе. [4]
 |
Конструкция диода малой мощности.| Выпрямительный диод большой мощности. [5] |
Но поскольку обратные сопротивления диодов имеют значительный разброс, то для равномерного распределения обратных напряжений параллельно каждому диоду необходимо включать резистор, сопротивление которого меньше наименьшего из обратных сопротивлений диодов. В случаях, когда требуется получать выпрямленный ток, больший, чем допустимый для одного диода, применяется параллельное включение диодов. [6]
 |
Принципиальная ( а и логическая ( б схемы универсального / / ( - триггера типа К2ТК171. [7] |
Время восстановления обратного сопротивления диодов, обозначения которых на рис. 27, а зачернены, составляет не менее 30 нсек. [8]
R 2; обратное сопротивление диодов велико и не влияет на работу регистра. И, наконец, при всех дальнейших рассуждениях будем полагать, что на тактовую обмотку тора воздействуют прямоугольные импульсы длительностью Т, вырабатываемые генератором тока, имеющим бесконечно большое внутреннее сопротивление. [9]
 |
Эквивалентная схема симметричного мостового выпрямителя с измерителем в диагонали. [10] |
Допустим, что обратные сопротивления диодов настолько велики, что не оказывают влияния на схему, тогда в непроводящих плечах ( в данный полупериод) моста останутся только емкости С2 диодов в обратном направлении. [11]
В процессе формовки обратное сопротивление диода коллектор - база может снизиться в два и более раза. [12]
 |
Кривые мгновенных значений тока и напряжения на диоде для интервалов включения и выключения. а - процесс включения. б - процесс выключения. [13] |
В интервале восстановления обратного сопротивления диода ( Д об. с на рис. 1 - 5 6) при наличии на нем уже значительного обратного напряжения через него может протекать довольно большой обратный ток. Это явление приводит к выделению в структуре диода в эти моменты значительной мощности. [14]
Ток базы определяется обратным сопротивлением диода плоскостного типа, которое с увеличением температуры уменьшается, а с уменьшением температуры увеличивается. Следовательно при увеличении температуры увеличивается ток в цепи диода и ток базы транзистора. Увеличивается ток, потребляемый транзистором от источника питания и падение напряжения на сопротивлении Rl. В результате этого автоматически увеличивается ток нагрузки источника литания. Напряжение на выходе источника питания автоматически уменьшается. При понижении температуры процесс протекает в обратном направлении. Для увеличения пределов изменения напряжения желательно вместо диода или еще лучше параллельно диоду включать термосопротивление типа ММТ или КМТ. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5