Обратное сопротивление - диод
Cтраница 3
Сопротивление закрытого диода постоянному току ( обратное сопротивление диода) очень велико и составляет несколько миллионов ом. [31]
Кратко рассмотрим требования к допустимому изменению обратного сопротивления диода, что важно для любой мостовой схемы, содержащей полупроводниковые диоды. [32]
 |
Форма импульсов на выходе смесителя. [33] |
Эти формулы не учитывают времени восстановления обратного сопротивления диода. Длительность импульсов на выходе смесителя определяется постоянной времени разряда конденсатора в смесителе и обычно составляет единицы микросекунд. Максимальное изменение амплитуды расширенных импульсов пропорционально амплитуде сигнала на входе смесителя и равно A / Vane / СсыиСмис. [34]
СДп и постоянная времени восстановления TBOCCT обратного сопротивления диода. [35]
Для компенсации паразитного тока, проходящего через обратное сопротивление диода Дг, имеется вторая обмотка Wz динамического триггера, которая выдает напряжение положительной полярности. Это напряжение создает ток обратной полярности относительно обратного тока диода и компенсирует его. [36]
 |
Амплитудный детектор с конденсатором связи. а - последовательное включение. б - параллельное включение.| Амплитудный детектор с емкостным делителем напряжения. [37] |
При очень больших значениях сопротивления нагрузки и обратного сопротивления диода конденсатор заряжается почти до максимального напряжения, значение которого может быть измерено. [38]
При большом числе входов начинает сказываться действие обратных сопротивлений диодов, шунтирующих нагрузку. В отдельных случаях это заставляет переходить к многоступенчатым собирательным схемам. В таких схемах первая ступень представляет несколько схем ИЛИ, выходы которых поданы на входы схемы ИЛИ второй ступени. [39]
При большом числе входов начинает сказываться действие обратных сопротивлений диодов, шунтирующих нагрузку. В отдельных случаях это заставляет переходить к многоступенчатым собирательным схемам. В таких схемах первая ступень представляет несколько схем ИЛИ, выходы которых поданы на входы схемы ИЛИ второй ступени. При этом исключается шунтирующее действие обратных сопротивлений части диодов и общее количество входов можно увеличить. [40]
Этот результат проявляется в большей степени при большом обратном сопротивлении диода, вследствие чего целесообразно применять кремниевые диоды. [41]
 |
Принципиальная электрическая схема сравнения на диодах. [42] |
Кроме того, при широком диапазоне изменения температуры обратное сопротивление диода изменяется, что приводит к нежелательному непостоянству чувствительности схемы. Так, например, у германиевого диода Д9К с изменением температуры от 20 до 70 обратное сопротивление уменьшается почти в 1000 раз. [43]
 |
Семейства динамических кривых размагничивания трех видов. [44] |
На рис. 3.6, б показано качественное влияние обратного сопротивления диодов на характеристику вход - выход. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5