Обратное сопротивление - диод
Cтраница 4
Длительность переходных процессов накопления, рассасывания и восстановления обратного сопротивления диода с р - п переходом пропорциональна времени жизни неосновных носителей заряда гр в базе диода. [46]
Схема измерения максимального импульсного напряжения и времени восстановления обратного сопротивления диода показана на рис. 2.24 а. [47]
При достаточно малой величине ш по сравнению с обратным сопротивлением диодов или входным сопротивлением транзисторов напряжения на них, а следовательно, и на полупроводниковых приборах будут равны. [49]
Снижение зарядного напряжения определяется только утечками конденсаторов и обратными сопротивлениями диодов и поэтому происходит очень медленно. Следовательно, в течение продолжительного времени конденсаторы могут находиться под повышенным напряжением, что следует считать ненормальным режимом. [50]
Вследствие неидентичности магнитных свойств сердечников и различия в обратных сопротивлениях диодов, включенных последовательно с рабочими обмотками, углы насыщения магнитных усилителей в схеме рис. 7 - 3 а получаются не одинаковыми. [51]
 |
Диаграммы импульсов, поясняющие работу диодного ключа. [52] |
На рис. 2 - 14 отмечено время tB восстановления обратного сопротивления диода. [53]
Последнее соотношение учитывает тот факт, что время восстановления обратного сопротивления диодов смещения больше времени рассасывания избыточного заряда транзистора. [54]
 |
К определению параметров смесителя с учетом времени восстановления обратного сопротивления диода. [55] |
Весьма существенно влияет на параметры стробоскопического осциллографа процесс восстановления обратного сопротивления диодов смесителя. За счет накопленного заряда в течение некоторого Промежутка времени после окончания строб-импульса диод проводит в обратном направлении. [56]
 |
Селеновые столбики для различных схем выпрямления.| Шунтирование последовательно соединенных диодов сопротивлениями. [57] |
Если этого не сделать, то вследствие значительного разброса величины обратного сопротивления диодов обратное напряжение распределяется между ними неравномерно и возможен пробой диодов, обладающих большим обратным сопротивлением. [58]
Выше нами были рассмотрены процессы, характеризующие так называемое восстановление обратного сопротивления диода. Необходимо остановиться также и на таком эффекте, как модуляция сопротивления базы. Экспериментально было обнаружено, что прямое сопротивление диодов в установившемся режиме оказывалось в ряде случаев меньше, чем сопротивление при том же прямом токе, но на коротких импульсах. [59]
Значительное влияние на ширину предельной полосы пропускания оказывает процесс восстановления обратного сопротивления диодов смесителя. Уменьшение за счет этого фактора амплитуды расширенных импульсов на выходе смесителя, а следовательно, и коэффициента его передачи приводит к тому, что критическое соотношение Um Ka AlUc ир и повышении уров-ня ограничения стробимпульсов начинает выполняться раньше, при более низких уровнях, чем в случае идеальных ( безынерционных) диодов. В результате этого минимальная длительность импульсов на уровне ограничения / ИПр теперь становится больше, а предельная полоса пропускания, определяемая этой длительностью, уже, чем в рассмотренном случае. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5