Обратное сопротивление - диод
Cтраница 5
 |
Эквивалентная схема входной цепи, ос-нованная на представле-нии входного сигнала в виде напряжения, нарастающего по экспоненциальному закону. [61] |
Схемы с диодными клапанами во входных цепях работают надежно, если обратное сопротивление диодов значительно больше входного сопротивления триггера. [62]
 |
Схема однополупери - и вихревых токов в материале одного ДЦч. процесс перемагничивания за. [63] |
При рассмотрении такого усилителя ( рис. 6.5) примем, что обратное сопротивление диода VD равно бесконечности, а прямое учитывается сопротивлением RB. В цепи управления включен балластный дроссель Х & для ограничения переменного тока, создаваемого рабочей обмоткой. [64]
 |
Последовательное соединение диодов.| Параллельное соединение диодов. [65] |
Сопротивления Яш резисторов должны быть одинаковы и значительно меньше наименьшего из обратных сопротивлений диодов. Тогда при обратном напряжении сопротивление каждого участка цепи, состоящего из диода и шунтирующего резистора, будет несколько меньше 100 кОм и общее обратное напряжение разделится между этими участками примерно на три равные части. На каждом участке это напряжение окажется меньше 400 В и диоды будут работать-надежно. Обычно шунтирующие резисторы имеют сопротивление от нескольких десятков до нескольких сотен килоом. [66]
Основным параметром, характеризующим свойства импульсного диода, является время восстановления обратного сопротивления диода / Вос, представляющее собой интервал времени от момента подачи импульса обратного напряжения до момента, когда обратный ток диода уменьшается до заданного значения. [67]
Итак, R06p R, и значение обратного тока практически определяется только обратным сопротивлением диода. [68]
 |
Схема запоминающей ячейки с сег-нетоэлсктрическим конденсатором. [69] |
Записанная так информация не может храниться очень долго из-за утечки заряда через обратные сопротивления диодов. Для ее регенерации подается импульс MI, потенциал точки к становится равным 0, а с точки г снимается импульс считывания ( несколько меньший м2 вследствие утечки), к-рый поступает через линию задержки JI3 на усилитель У. Усиленный и ограниченный по амплитуде сигнал с выхода У вновь поступает в точку г, восстанавливая первоначальное значение напряжения на конденсаторе С. Для создания ЗУ большой емкости такие ячейки объединяются в матричную схему. Диодно-конденсаторные ЗУ отличаются простотой схемы и большой амплитудой сигнала. [70]
 |
Семейства динамических кривых размагничивания трех видов. [71] |
Наряду со свойствами магнитного материала большое влияние на крутизну характеристики вход-выход оказывает обратное сопротивление диодов. [72]
Страницы: 1 2 3 4 5