Распределенное сопротивление - база
Cтраница 1
Распределенное сопротивление базы гб5, представляет сопротивление объема материала, из которого сделана база; это сопротивление включено последовательно с базовым выводом. Его величина зависит от толщины базы ( которая обычно мала по сравнению с ее поперечными размерами) и удельного сопротивления материала базы, которое как указывалось в параграфе 2 настоящей главы, специально выбирается много большим, чем удельное сопротивление материала, из которого изготовлен эмиттер. Этим объясняется, почему распределенное сопротивление базы больше распределенного сопротивления эмиттера. Распределенные сопротивления эмиттера и коллектора обычно пренебрежимо малы по сравнению с импедансами, с которыми они подключаются последовательно. Величина распределенного сопротивления базы оказывает сильное влияние на коэффициент усиления кристаллического триода, особенно на высоких частотах. [1]
Распределенное сопротивление базы гбб, может быть порядка 50 - - 500 ом. [2]
Допускаем, что распределенное сопротивление базы равно ну лю, вследствие чего отсутствует падение напряжения. [3]
Таким образом, распределенное сопротивление базы гбб которое прямо пропорционально удельному сопротивлению материала базы, будет увеличиваться с температурой, если при комнатной температуре удельное сопротивление было ниже 16 ом-см. [4]
Тепловые шумы в распределенном сопротивлении базы г § имеют тот же характер, что и тепловые шумы в любом омическом сопротивлении. Они обусловлены хаотическим тепловым движением носителей заряда. [5]
 |
Области, составляющие. [6] |
Легко видеть, что распределенное сопротивление базы не является постоянным, так как область А зависит от эфективной ширины базы, которая, как показано в 8.13, является функцией коллекторного напряжения. Однако во многих обычных типах кристаллических триодов это действие не имеет важного значения. Для того чтобы судить о порядке величины распределенного сопротивления базы, рассмотрим концентрический цилиндр из германия с внутренним диаметром 0 254 мм, и внешним диаметром 1 27 мм. [7]
 |
Области, составляющие. [8] |
Для большинства плоскостных триодов распределенное сопротивление базы примерно лежит в пределах от 40 до 600 ом. [9]
В гипотетическом случае, когда распределенное сопротивление базы триода и внешнее сопротивление равны нулю, базовый источник беспредельной мощности способен обеспечить любой ток. [10]
Основное значение имеют тепловой шум распределенного сопротивления базы и шум токораспределения. [11]
Область базы можно рассматривать как некоторое распределенное сопротивление базы 1), вдоль которого существует равномерное ( предположительно) падение потенциала. [12]
Тепловые шумы появляются в результате нагрева распределенного сопротивления базы. Эти шумы распределены по частотному спектру также равномерно. [13]
 |
Схема включения одно-переходного транзистора для работы в усилительном режиме. [14] |
Связь между входом и выходом осуществляется по току через распределенное сопротивление базы. Усилительные свойства транзистора определяются соотношением концентраций основных равновесных и неосновных неравновесных носителей и их подвиж-ностями. [15]
Страницы: 1 2 3 4