Распределенное сопротивление - база
Cтраница 4
Сопротивление R между базой и эмиттером изображает подключенное к этим точкам устройство. Генератор тока Is отображает ток насыщения. Составляющая тока утечки характеризуется сопротивлением гку, гв - распределенное сопротивление базы. [46]
 |
Схема замещения транзистора на высокой частоте ( а и частотная зависимость коэффициента передачи тока базы ( б. [47] |
На схеме замещения ( рис. 4.8 а) точки Б, К и Э являются реальными выводами базы, коллектора и эмиттера транзистора. Точка Б находится внутри транзистора и, следовательно, доступа к ней нет. Сопротивление г6, разделяющее точки Б и Б, называют распределенным сопротивлением базы. Активная проводимость gj и емкость С3 совместно отражают полную проводимость эмиттерного перехода. Отношение этих величин называется постоянной времени эмиттерного перехода тэ Сэ / э и от режима работы транзистора практически не зависит. [48]
Это уравнение является основным уравнением, решая которое мы можем связать между собой токи через переходы и напряжения на переходах для теоретической модели транзистора. Основные зависимости, полученные из решения данного уравнения, называемого уравнением диффузии, были использованы нами в предшествующих главах. Обратим внимание на то, что полученные решения справедливы для одномерной модели транзистора и не учитывают влияния распределенного сопротивления базы и зарядных емкостей переходов. [49]
Создан на основе использования высокоспециализированной техники производства, в которой употребляются точное электрохимическое травление металла и покрытие для обеспечения малых допусков на ширину базы. Благодаря этому уменьшается толщина базового слоя и поэтому увеличивается усиление мощности на высоких частотах, p - n - i - p - и n - p - i - n - плоскостные триоды отличаются от обычных р-п - р и п-р-п-шюскостных триодов тем, что базовые и коллекторные области разделены толстым обедненным слоем полупроводника i-типа. Широкий коллекторный обедненный слой обеспечивает относительно небольшую коллекторную емкость и допускает высокое обратное пробивное напряжение, а также позволяет сделать область базы чрезвычайно тонкой и низкоомной, что создает одновременно низкое распределенное сопротивление базы и очень высокую критическую частоту / кр. [50]
 |
Схема установки для измерения параметров транзистора. [51] |
При измерении сопротивления базы г § генератор через сопротивление 500 ом подключают к коллектору транзистора. В эмит-терной цепи осуществляется холостой ход. Ток базы определяют по падению напряжения на сопротивлении 1 ком. Напряжение на распределенном сопротивлении базы транзистора измеряют вольтметром, включенным между эмиттером и базой. Сопротивление 1 ком в цепи базы при этом закорочено. [52]
 |
Пример конструкции высокочастотного транзистора. [53] |
В обычных транзисторах эмиттерная область сильно активирована и через нее идет ток со сравнительно низкой плотностью. С другой стороны, база, для того чтобы обеспечить высокую эффективность эмиттера, чрезвычайно тонка и слабо активирована. Поэтому должно быть принято во внимание так называемое распределенное сопротивление базы. [54]
Распределенное сопротивление базы гб5, представляет сопротивление объема материала, из которого сделана база; это сопротивление включено последовательно с базовым выводом. Его величина зависит от толщины базы ( которая обычно мала по сравнению с ее поперечными размерами) и удельного сопротивления материала базы, которое как указывалось в параграфе 2 настоящей главы, специально выбирается много большим, чем удельное сопротивление материала, из которого изготовлен эмиттер. Этим объясняется, почему распределенное сопротивление базы больше распределенного сопротивления эмиттера. Распределенные сопротивления эмиттера и коллектора обычно пренебрежимо малы по сравнению с импедансами, с которыми они подключаются последовательно. Величина распределенного сопротивления базы оказывает сильное влияние на коэффициент усиления кристаллического триода, особенно на высоких частотах. [55]
 |
Плоскостной тетрод. [56] |
Предположим, что эмиттерная и коллекторная батареи смещения создают напряжения 12 и - 0 1 в, которые прикладываются между коллектором и землей и эмиттером и землей, соответственно. В результате ток / Б, текущий через базу, создает падение напряжения на базе. Пусть это падение напряжения будет, как указано на рис. 8.9 з, 0 6 в. Для того чтобы кристаллический триод работал, эмиттер должен иметь отрицательное смещение по отношению к базе, а это, как видно из рисунка, наблюдается только на нижнем конце базы. Поэтому работа кристаллического триода ограничивается небольшим участком в непосредственной близости с базовым выводом, в результате чего за счет уменьшения эффективной площади поперечного сечения получается уменьшение эффективного распределенного сопротивления базы, а также меньшая величина емкости коллекторного перехода. [57]
Страницы: 1 2 3 4