Распределенное сопротивление - база
Cтраница 3
Отличие прямой ветви вольтамперной характеристики реального диода обусловлено тем, что при выводе уравнения (4.20) не учитывались явления генерации и рекомбинации в запорном слое, а также распределенное сопротивление базы диода. [31]
Однако, иногда небольшая емкость, 0 25 - г - пф между коллекторным и базовым выводами, может играть важное значение, особенно в том случае, если распределенное сопротивление базы является большим. Вероятно эта емкость возникает скорее вследствие того, что емкость коллекторного перехода находится в непосредственной близости с материалом, который определяет величину распределенного сопротивления базы, чем вследствие емкостей, зависящих от геометрии базового и эмиттерного выводов. [32]
 |
Упрощенная эквивалентная схема транзистора по постоянному току. [33] |
На этой схеме эмиттерныи переход представлен диодом Дэ, а коллекторный переход - диодом Дк. Резистор г б учитывает распределенное сопротивление базы для постоянного тока, вытекающего из базы. Оно образуется слаболегированной областью базы, которая для тока базы представляет собой пластинку с относительно большой длиной и малым сечением. Для различных типов транзисторов г б имеет значения от нескольких десятков до нескольких сотен ом. Генератор тока / ГЛ / Э учитывает прямую передачу тока эмиттера в коллектор. Относительно слабое обратное воздействие коллекторного напряжения на эмиттерныи переход в результате изменения толщины базовой области в эквивалентной схеме ( рис. 3 - 9) не учтено. [34]
Причина этого заключается в том, что в полной эквивалентной схеме кристаллического триода оно подсоединяется последовательно с параллельной цепочкой RC, представляющей собой фильтр низких частот. В § 14 восьмой главы распределенное сопротивление базы рассматривается более подробно. [35]
 |
Пояснение принципа работы варикапа. [36] |
Объемное сопротивление г определяет добротность варикапа в диапазоне рабочих частот и характеризует температурные свойства добротности. Оно представляет собой омическое сопротивление варикапа и состоит из распределенного сопротивления базы и сопротивления омического контакта. [37]
В связи с тем что ток в туннельном диоде создается основными носителями, прохождение которых не связано с накоплением неравновесного заряда, прибор обладает чрезвычайно малой инерционностью. Предельная частота туннельного диода ограничивается лишь емкостью перехода, распределенным сопротивлением базы и индуктивностью выводов и может достигать сотен гигагерц. [38]
Двухбазовый диод при том включении, при котором он был нами рассмотрен выше, будет иметь ту же полярность приложенных напряжений и те же направления токов в электродах, что и точечный триод ( рис. XI. Связь между входом и выходом, так же как и в точечном триоде, осуществляется по току через распределенное сопротивление базы. В то же время выходной электрод представляет собой невыпрямляющий контакт и, казалось бы, не должен обеспечивать усиления по току. [39]
Этот генератор получается как результат зависимости части гбб / от эффективной ширины базы, которая, в свою очередь, зависит от напряжения на коллекторе. А поэтому выбор этого генератора обратной связи может изменяться от величин гбб, и других элементов, за счет нелинейности распределенного сопротивления базы. [40]
Однако, иногда небольшая емкость, 0 25 - г - пф между коллекторным и базовым выводами, может играть важное значение, особенно в том случае, если распределенное сопротивление базы является большим. Вероятно эта емкость возникает скорее вследствие того, что емкость коллекторного перехода находится в непосредственной близости с материалом, который определяет величину распределенного сопротивления базы, чем вследствие емкостей, зависящих от геометрии базового и эмиттерного выводов. [41]
Распределенное сопротивление базы есть сопротивлени объема материала, из которого сделан кристаллически: триод. В эквивалентной схеме оно, очевидно, должно вклю чаться последовательно с тремя выводами. Однако обычн только распределенное сопротивление базы является доста точно большим. На рис. 8.8 показано поперечное сечени сплавного плоскостного триода. Заготовка германия, состав ляющая базу, разделена на две области. Область А являете активной областью, через которую диффундируют НСОСНОЕ ные носители, тогда как область Б является пассивной об ластью. С точки зрения уменьшения распределенного ее противления базы, очевидно желательно контакт базовог вывода располагать как можно ближе к области А; в это. [42]
Распределенное сопротивление базы гб5, представляет сопротивление объема материала, из которого сделана база; это сопротивление включено последовательно с базовым выводом. Его величина зависит от толщины базы ( которая обычно мала по сравнению с ее поперечными размерами) и удельного сопротивления материала базы, которое как указывалось в параграфе 2 настоящей главы, специально выбирается много большим, чем удельное сопротивление материала, из которого изготовлен эмиттер. Этим объясняется, почему распределенное сопротивление базы больше распределенного сопротивления эмиттера. Распределенные сопротивления эмиттера и коллектора обычно пренебрежимо малы по сравнению с импедансами, с которыми они подключаются последовательно. Величина распределенного сопротивления базы оказывает сильное влияние на коэффициент усиления кристаллического триода, особенно на высоких частотах. [43]
Легко видеть, что распределенное сопротивление базы не является постоянным, так как область А зависит от эфективной ширины базы, которая, как показано в 8.13, является функцией коллекторного напряжения. Однако во многих обычных типах кристаллических триодов это действие не имеет важного значения. Для того чтобы судить о порядке величины распределенного сопротивления базы, рассмотрим концентрический цилиндр из германия с внутренним диаметром 0 254 мм, и внешним диаметром 1 27 мм. [44]
 |
Эквивалентная схема для расчета токов транзисторов. [45] |
Страницы: 1 2 3 4