Распределенное сопротивление - база
Cтраница 2
Связь между входом и выходом осуществляется по току через распределенное сопротивление базы. Усилительные свойства транзистора определяются соотношением концентраций основных равновесных и неосновных неравновесных носителей и их подвижностями. [16]
Шумы транзистора в основном складываются из тепловых шумов в распределенном сопротивлении базы г, из дробовых шумов токов, текущих через р-л-переходы, и поверхностных шумов. [17]
Ск - емкость коллектор - база, л б - распределенное сопротивление базы, измеряемое на высокой частоте, т - постоянная времени входа. [18]
В области больших прямых токов вследствие значительного падения напряжения на распределенном сопротивлении базы диода и со - i противлении электродов напряжение на электронно-дырочном переходе будет меньше напряжения U, приложенного к диоду, в результате чего реальная характеристика оказывается расположенной ниже теоретической и почти линейной. [19]
 |
Области, составляющие. [20] |
Очевидно, что уменьшение удельного сопротивления материала, составляющего базу, будет уменьшать распределенное сопротивление базы. Таким образом, расчет необходимо вести исходя из компромиссного решения. [21]
Высокочастотные и импульсные диоды Шоттки имеют площадь перехода менее 20 - 30 мкм2, емкость распределенное сопротивление базы г ( ных носителей заряда и связанного с ними накопления неравновесного заряда в базе существенно повышает быстродействие импульсных металлополупроводниковых диодов. [22]
Дополняя теоретическую модель объемным сопротивлением базы г б, мы допускаем одну неточность, подменяя распределенное сопротивление базы сосредоточенным, как бы внешним по отношению к триоду. [23]
Источниками тепловых шумов в транзисторе являются активные сопротивления различных его участков, при этом наиболее значительным является распределенное сопротивление базы. [24]
Во многих случаях при анализе и расчетах эквивалентную П - об-разную схему несколько усложняют, показывая в ней дополнительно распределенное сопротивление базы гб. [25]
Практически величина максимально допустимого импульсного тока транзистора кроме максимальной температуры ограничивается неравномерностью плотности тока эмиттера, обусловленной падением потенциала в распределенном сопротивлении базы, а также локальными неоднородностями структуры транзистора, которые могут вызвать его вторичный пробой. Поэтому в технических данных транзисторов, предназначенных для работы в импульсном режиме, обычно указывается величина максимально допустимого импульсного тока коллектора. [26]
Шумовое сопротивление транзистора может быть интерпретировано как параметр, определяющий флуктуационное напряжение на входе транзистора, возникающее за счет тепловых шумов распределенного сопротивления базы г и дифференциального сопротивления перехода га. [27]
При импульсном включении тиристора отпирание его первоначально происходит лишь в узком канале вблизи управляющего электрода, так как из-за падения напряжения пускового импульса в распределенном сопротивлении базы г 6 инжекция носителей заряда из эмиттера происходит вначале только около управляющего электрода. Затем канал постепенно расширяется вследствие диффузии носителей заряда и охватывает всю площадь перехода. [28]
Шумовое сопротивление Кш, будучи включено в цепь базы идеального ( нешумящего) транзистора, создает на его выходе такой же шум, какой создается распределенным сопротивлением базы и сопротивлением эмиттерного перехода. [29]
 |
Структура диода ( а, изменение распределения плотности объемного заряда ( б, роля ( в и потенциала ( г в идеальном р-п-пе-реходе. [30] |
Страницы: 1 2 3 4