Cтраница 1
![]() |
Вольтамперная характеристика германиевого диода. [1] |
Дифференциальное сопротивление диода при обратных напряжениях очень велико и находится в пределах от нескольких десятков килоомов до сотен мегоомов. Величина обратного тока при увеличении температуры на каждые 10 С увеличивается в 2 раза у германиевых и в 2 5 раза у кремниевых диодов. Полупроводниковые вентили в некоторых схемах играют роль переменных сопротивлений. Такие вентили для дополнительного контроля помещают в термостат и снимают их вольтамперные характеристики при средней температуре 20 С и предельных значениях температуры окружающей среды. Во время проведения испытаний к выводам диода следует подключать проводники такого же типа, как в рабочей схеме; длина выводов внутри термостата должна быть не менее 100 - 150 мм. [2]
![]() |
Анодная характеристика ( а, график анодного напряжения ( б, график анодного тока ( в. [3] |
Дифференциальное сопротивление диода на разных участках характеристики имеет разные значения. Однако средняя часть характеристики диода почти прямолинейна, и поэтому на этой части ее дифференциальное сопротивление практически постоянно. Оно часто и применяется для характеристики лампы. [4]
![]() |
Схема резервирования источников электропитания цепей микрофонов.| Защищенная схема резервирования источников электропитания цепей микрофонов. [5] |
Дифференциального сопротивления диодов 5 и 6 в рабочей точке оказывается достаточно для того, чтобы заметно снизить величину переходного затухания. Но одного этого недостаточно, так как если хотя бы один из выходных конденсаторов ( 7 или 8 выйдет из строя при коротком замыкании, то это вызовет полное прекращение работы всей станции. [6]
Значение дифференциального сопротивления диода также определяют для среднего, почти линейного участка его характеристики. [7]
![]() |
Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода ( и и зависимость дифференциального сопротивления диода от приложенного напряжения ( б. [8] |
Наибольшее изменение дифференциального сопротивления диода наблюдается при изменении напряжения от минус 5 - 10 до плюс 0 5 - 1 0 в. Например, у диодов Д9 при изменении приложенного напряжения в указанных пределах q равно 1 500 - 2 ОШ. [9]
![]() |
Вольтамперные характери - 4 стики ЛПД в прямом направ - рисз лении. [10] |
С ростом напряжения дифференциальное сопротивление диодов этой группы уменьшается. [11]
![]() |
Иллюстрация механизма работы тиристора. [12] |
На этом участке дифференциальное сопротивление диода снова становится положительным. [13]
![]() |
Распределение диодов.| Экспериментальная зависимость коэффициента лавинного умножения обратного тока от напряжения для диода с мягким ( - - и с резким ( О, А, П пробоем. [14] |
При дальнейшем росте тока дифференциальное сопротивление диодов остается постоянным, пока температура перехода не достигает - 100 С. После этого величина Rap уменьшается с ростом тока, достигая нулевого значения при токе, соответствующем температуре перехода / np200 240 C. [15]