Дифференциальное сопротивление - диод
Cтраница 3
Предназначены для работы в качестве аттенюатора с регулируемым коэффициентом передачи за счет изменения дифференциального сопротивления диодов в зависимости от проходящего через них тока регулирования. [31]
При меньших токах кремниевые стабилитроны не рекомендуется применять, главным образом из-за роста дифференциального сопротивления диода гд на пробивном участке. При токе 1 ма сопротивление увеличивается в среднем в 2 раза ( а иногда и больше) по сравнению с номинальным значением, что нежелательно в схемах стабилизаторов ( см. гл. Кроме того, при малых токах резко возрастают собственные шумы диода. [32]
Сопротивление переменному току цепи связи включенного ключа равно Л0 2гд, где гя - дифференциальное сопротивление диода в рабочей точке. [33]
Параметр / гцэ, или входное сопротивление транзистора, определяется так же, как дифференциальное сопротивление диода. [34]
 |
Туннельный эффект в МДП - и МДПДМ-структурах. [35] |
Для того чтобы нагрузочная прямая пересекала вольт-амперную характеристику в трех точках, сопротивление нагрузки должно быть больше дифференциального сопротивления диода на участке отрицательного сопротивления. [36]
Крутизну характеристики можно рассматривать как дифференциальную или внутреннюю проводимость диода при переменном токе, следовательно, если известно дифференциальное сопротивление диода, то тем самым известна и дифференциальная проводимость, таким образом, крутизна не является независимым параметром диода. [37]
Вольт-амперная характеристика таких диодов зависит от частоты и в определенном диапазоне СВЧ имеет падающий участок, на котором дифференциальное сопротивление диода отрицательно. Снятая на постоянном токе вольт-амперная характеристика диода Ганна аналогична характеристике обыкновенного резистора. Падающий участок вольт-амперной характеристики диода в СВЧ-диапазоне обусловлен внутренними процессами, протекающими в некоторых полупроводниковых материалах при высоких напряженностях электрического поля. Диоды Ганна используются для генерации и усиления колебаний в СВЧ-диапазоне. [38]
 |
Стабилизаторы по. [39] |
Если пренебречь сопротивлением нагрузки, тогда Aui / A2 в приведенной формуле определяется коэффициентом деления делителя напряжения R-ЛДИф, при этом значение ЯЯВф является дифференциальным сопротивлением диода в области стабилизации. [40]
Реальные полупроводниковые диоды отличаются определенным разбросом параметров от образца к образцу, а их вольт-амперные характеристики образуют с осью напряжений некоторый угол, величина которого характеризуется дифференциальным сопротивлением диода гя. Таким образом, для получения датчика с симметричной вольт-амперной характеристикой подбор диодов следует делать по трем параметрам / о, В и гк. [41]
 |
Методика построения одной из точек динамической входной характеристики. [42] |
В таком варианте начальные смещения на базах составляют / д / 2, а роль R2 ( по отношению к передаче сигнала на базу транзистора Т2) играет дифференциальное сопротивление диода. При достаточно больших токах дифференциальное сопротивление диода значительно меньше сопротивления постоянному току ( см. рис. 2 - 22), поэтому использование диода позволяет усилить связь между базами транзисторов. [43]
 |
Схема отбраковки диодов для импульсных схем. а - принципиальная схема. б - форма входного напряжения t / BX и тока. [44] |
Последнее замечание имеет существенное значение при измерении емкости туннельных диодов, так как в этом случае с помощью схемы на рис. 181 можно измерить емкость только в двух точках при E U1H Е U2, где дифференциальное сопротивление диода R - оо. Если амплитуда напряжения на контуре велика, то диод будет либо сильно шунтировать контур, либо в схеме возникнут паразитные колебания. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5