Дифференциальное сопротивление - диод
Cтраница 4
СВЧ Гцр д - прямое сопротивление диода по постоянному току Cogp д - обратное сопротивление диода по постоянному току г - дифференциальное сопротивление стабилитрона Гвых - выходное сопротивление СВЧ диода Гщ - шумовое сопротивление СВЧ диода диф - дифференциальное сопротивление диода Сд - общая емкость диода Собщ. [46]
Диффузионная ветвь вольтамперной характеристики туннельного диода, имеющая место при сравнительно больших напряжениях на диоде, деформируется при облучении качественно так же, как и у обычных ( импульсных, выпрямительных) полупроводниковых диодов: диффузионный ток уменьшается, а дифференциальное сопротивление диода увеличивается с ростом плотности потока частиц. [47]
Рассмотрим схему рис. 7.6, а с точки зрения формирования закрывающего тока базы / БЗ - Для анализа используем эквивалентную схему рис. 7.6, в с Т - образной схемой замещения базового трансформатора Т2, в которой Lal, Ls2 - индуктивности рассеивания первичной и вторичной обмоток; Li - индуктивность намагничивания; /, - - г1м J T D - сопротивление контура первичной обмотки, включающее в себя активное сопротивление провода и дифференциальное сопротивление диодов VD; г2 г2м - - ГБ - активное сопротивление вторичной обмотки и объемное сопротивление базы. [48]
При этом эффективное дифференциальное сопротивление диода, подключенное параллельно контуру, остается достаточно большим и положительным. Измеренная указанным выше способом емкость равна сумме емкостей перехода С и емкости патрона Сп. Поскольку для испытанных диодов емкость Сп0 2 пф, а С10 пф, то практически можно считать, что Са С. [49]
При атом эффективное дифференциальное сопротивление диода, подключенное параллельно контуру, остается достаточно большим и положительным. Измеренная указанным выше способом емкость равна сумме емкостей перехода С и емкости патрона Сп. Поскольку для испытанных диодов емкость Сп0 2 пф, а С10 пф, то практически можно считать, что Сд С. Значения емкости С для различных диодов приведены в таблице в конце статьи, где индексами Ci и С2 обозначены соответственно емкости три максимальном и минимальном значении токов. [50]
При приложении к диоду положительного напряжения ( 0) переходы Пг и П3 оказываются в проводящем, а переход Я2 в непроводящем состоянии. С ростом положительного напряжения дифференциальное сопротивление диода меняется незначительно. Однако, поскольку напряжение на диоде практически оказывается полностью приложенным к запертому переходу Я2 при достаточно высоком напряжении и, начинает существенно сказываться ударная ионизация во втором переходе; число электрических зарядов через переход Я2 возрастает ( умножается), возрастает и ток через диод. При некотором критическом напряжении URKJI умножение зарядов приобретает лавинообразный характер; дифференциальное сопротивление диода падает до нуля ( точка 1 на в-а характеристике); переход Я2 пробивается, напряжение на диоде уменьшается ( участок 1 - 2 на характеристике); в слоях у перехода / 72 образуются избыточные электрические заряды, которые сводят запирающее напряжение до нуля ( граница насыщения, точка 2 характеристики), а при напряжении выше ияыКл - создают положительное напряжение на переходе, полностью насыщая его, и в-а характеристика переключающего диода в этой области имеет тот же характер, что и в-а характеристика обыкновенного диода. [51]
В таком варианте начальные смещения на базах составляют / д / 2, а роль R2 ( по отношению к передаче сигнала на базу транзистора Т2) играет дифференциальное сопротивление диода. При достаточно больших токах дифференциальное сопротивление диода значительно меньше сопротивления постоянному току ( см. рис. 2 - 22), поэтому использование диода позволяет усилить связь между базами транзисторов. [52]
 |
Вольт-амперная характеристика туннельного диода.| Эквивалентная схема туннельного диода. [53] |
Управляющей величиной характеристики является напряжение. На падающем ее участке дифференциальное сопротивление диода отрицательно, а сопротивление постоянному току - положительно. По отношению к источнику энергии туннельный диод ведет себя всегда как потребитель. На падающем участке характеристики туннельный диод является источником, который можно использовать для компенсации потерь энергии во внешней цепи. Туннельный диод не является однонаправленным ( вентильным) элементом. [54]
Одна из наиболее серьезных трудностей, возникающих при использовании в качестве дискриминаторов полупроводниковых приборов вообще и диодов в частности, вызывается сильной зависимостью их характеристик от температуры окружающей среды. С ростом температуры изменяется дифференциальное сопротивление диода, являющееся одним из основных параметров дискриминатора, а также увеличивается обратный ток перехода, вызывающий заметное изменение порогового напряжения. Последнее обстоятельство принуждает в качестве дискриминирующих элементов использовать кремниевые диоды, обладающие хотя и большей емкостью, но зато достаточно малым обратным током перехода. [55]
При увеличении обратного тока через диод увеличивается падение напряжения на объемном сопротивлении базы диода. Таким образом, при пробое дифференциальное сопротивление диода стремится к значению, определяемому объемным сопротивлением полупроводника. [56]
На рис. В-4 приведены вольт-амперные характеристики одного из диодов, снятые при трех значениях температуры окружающего воздуха. Из этого примера видно, что дифференциальное сопротивление диода резко падает с увеличением температуры среды. Такое влияние температуры на вольт-амперную характеристику наблюдается у всех германиевых и кремниевых диодов. [57]
Однако поскольку напряжение на диоде оказывается практически полностью приложенным к запертому переходу П2, при достаточно высоком напряжении ив начинает существенно сказываться ударная ионизация во втором переходе; число электрч-ческих зарядов через переход Я2 возрастает ( умножается), возрастает и ток через вентиль. Шщ умножение зарядов приобретает лавинообразный характер, дифференциальное сопротивление диода падает до нуля ( точка / на вольт-амперной характеристике); переход П2 пробивается, напряжение на диоде уменьшается ( участок 1 - 2); в слоях у перехода / 72 образуются избыточные электрические заряды, которые сводят запирающее напряжение до нуля ( граница насыщения, точка 2 характеристики), а при напряжении выше 1 / пЫц создают положительное напряжение на переходе, полностью насышая его. Вольт-амперная характеристика переключающего диода в этой области имеет тот же характер, что и характеристика обыкновенного диода. [58]
Более распространены модуляторы, в которых роль синхронных прерывателей выполняют полупроводниковые диоды. При этом используют резкое различие в величинах дифференциальных сопротивлений диодов в открытом и запертом состояниях. Падения напряжений на диодах компенсируют соответствующим построением схем. [59]
 |
Схема транзисторного РУ с изменением глубины обратной связи по току. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5