Дифференциальное сопротивление - диод
Cтраница 5
Одновременно за счет увеличений коллекторного тока транзистора Т резко упадет дифференциальное сопротивление диода Дь сопротивление верхнего плеча этого делителя станет много меньше сопротивления нижнего плеча, что приведет к увеличению глубины отрицательной обратной связи. [61]
Однако поскольку напряжение на диоде оказывается практически полностью приложенным к запертому переходу / 72, при достаточно высоком напряжении ив начинает существенно сказываться ударная ионизация во втором переходе; число электрических зарядов через переход / 72 возрастает ( умножается), возрастает и ток через вентиль. При некотором критическом напряжении иакл умножение зарядов приобретает лавинообразный характер, дифференциальное сопротивление диода падает до нуля ( точка / на вольт-амперной характеристике); переход П2 пробивается, напряжение на диоде уменьшается ( участрк 1 - 2); в слоях у перехода / 72 образуются избыточные электрические заряды, которые сводят запирающее напряжение до нуля ( граница насыщения, точка 2 характеристики), а при напряжении выше U bm создают положительное напряжение на переходе, полностью насышая его. Вольт-амперная характеристика переключающего диода в этой области имеет тот же характер, что и характеристика обыкновенного диода. [62]
 |
Схема транзисторного РУ с изменением глубины обратной связи по напряжению. [63] |
Рассмотрим случай, когда управляющее напряжение равно нулю. Коллекторный ток транзистора Т, протекающий через диод Дь очень мал, дифференциальное сопротивление диода велико, обратная связь незначительна, и каскад на транзисторе Г2 имеет наибольший коэффициент усиления. Кроме того, сопротивление нижнего плеча для входного делителя велико по сравнению с сопротивлением резистора R2 и на базу транзистора Т2 поступает почти все входное переменное напряжение. Таким образом, напряжение на выходе схемы максимально. [64]
При неизменной температуре стабильность обеспечивается поддержанием постоянной величины тока через диод, так как падение напряжения на нем намного меньше напряжения питания, а также стабилизацией тока в каждом транзисторе и введением в цепи эмиттеров обратной связи через конденсатор большой емкости. Для температурной компенсации целесообразно использовать термозависимые сопротивления, включаемые в цепь диода или в эмиттерную цепь транзистора 7 и компенсирующие изменения дифференциального сопротивления диода и усиления транзисторов при колебаниях температуры. Однако следует иметь в виду, что существуют определенный разброс характеристик элементов и разница в их поведении при изменении температуры. Поэтому дрейф может быть только снижен, а не полностью устранен, и, если требуется обеспечить стабильность порога срабатывания порядка 10 %, чувствительность выше 50 мв повысить не удается. Разрешающее время подобной схемы определяется частотной характеристикой триодов и величинами сопротивлений и конденсаторов. При использовании дрейфовых триодов не представляет труда получить разрешающее время не хуже 1 - 1 5 мксек. [65]
 |
Туннельный диод. [66] |
При uu2 формула дает значительное отклонение расчетного значения емкости от фактической. Емкость туннельных диодов, приводимая в справочниках, обычно соответствует напряжению и2 на диоде. В этой точке дифференциальное сопротивление диода велико и не шунтирует вход измерителя емкости. [67]
 |
Схема для измерения дифференциального сопротивления стабилитронов. [68] |
Переменную составляющую напряжения стабилизации легко измерить милливольтметром переменного тока. Милливольтметр не реагирует на величину постоянного напряжения, а измеряет только абсолютное значение приращения напряжения. Таким образом, задавшись переменной составляющей тока стабилизации и измерив переменную составляющую напряжения стабилизации, можно вычислить дифференциальное сопротивление диода. [69]
 |
Схема РУ с управлением по току эмиттера и напряжению на коллекторе с дополнительным управляющим транзистором в коллекторной цепи. [70] |
Усилительный каскад на транзисторе Т2 включен по схеме с общим эмиттером. Резистор Ri является нагрузкой каскада. Обратная связь по напряжению осуществляется с коллектора транзистора Т2 на его базу также через делитель напряжения, образованный дифференциальным сопротивлением диода Д ] в верхнем плече и сопротивлениями резисторов R, fit и транзистора TI в нижнем плече. Как видим, транзистор Т вместе с резисторами Rs и Re работает в нижнем плече сразу двух делителей: входного и обратной связи. [71]
Страницы: 1 2 3 4 5