Внутреннее сопротивление - транзистор
Cтраница 1
 |
Эквивалентные схемы транзистора 34. [1] |
Внутренние сопротивления транзистора г6, гэ, гк и параметр г, ( внутреннее сопротивление генератора) называются первичными параметрами. [2]
Внутреннее сопротивление транзистора Т1 резко уменьшается. [3]
Внутреннее сопротивление транзистора увеличивается, ток в цепи и падение напряжения на сопротивлении стабилитрона Zd2 и транзистора Т4 увеличиваются. Потенциал коллектора транзистора Т4 и базы транзистора ТЗ становится более отрицательным и несколько больше открывает транзистор ТЗ. [4]
Внутреннее сопротивление транзистора уменьшается, ток в цепи и падение напряжения на резисторе R10 увеличиваются. [5]
Внутреннее сопротивление транзистора уменьшается, ток в цепи и падение напряжения на резисторе R11 увеличиваются. Внутреннее сопротивление транзистора уменьшается, ток в цепи и падение напряжения на нагрузке и делителе напряжения источника питания увеличиваются до заданной величины - 12 В. [6]
Внутреннее сопротивление транзистора уменьшается, ток в цейи и падение напряжения на сопротивлении стабилитрона Zd2 и транзистора Т4 уменьшаются. [7]
 |
Диаграмма температурной ависимости выходного напряжения. [8] |
Внутреннее сопротивление транзистора увеличивается. Внутреннее сопротивление транзистора уменьшается, потенциал эмиттера становится более отрицательным. Напряжение на выходе источника питания увеличивается. Величина тока в цепи: О В, R22; параллельно: R21, R23; последовательно: Dll, R20, - Usjj - и падение напряжения на резисторах R22 и R21 увеличиваются. Внутреннее сопротивление транзистора Т6 увеличивается, потенциал эмиттера становится более положительным. Напряжение на выходе источника питания уменьшается. [9]
 |
Схема электронного бесконтактного полупроводникового реле и контактного электромагнитного. [10] |
Поскольку внутреннее сопротивление транзистора вэтом случае во много раз меньше сопротивления нагрузки ( порядка 1 ком), падение напряжения на участке цепи между эмиттером и коллектором относительно мало и потенциал на выходе транзистора может счи-относительно нагрузки. [11]
В режиме насыщения внутреннее сопротивление транзистора уменьшается почти до нуля, так что все напряжение источника Ех оказывается почти целиком приложенным к Rx ( резистор как бы накоротко соединяется с землей) и на выходе устанавливается потенциал, близкий к нулю. [12]
 |
Принципиальная схема трехканального синхронно-фазового фильтра. [13] |
В открытом состоянии внутреннее сопротивление транзисторов составляет десятки ом. В закрытом - от сотен килоом до мегома. Резистор R совместно с сопротивлениями открытых транзисторов образует делитель напряжения. [14]
При IQ 0 внутреннее сопротивление транзистора очень велико, а ток коллектора очень мал, - такое состояние характеризуется как закрытое. При возрастании тока базы / б сопротивление транзистора уменьшается, что ведет за собой уменьшение напряжения 1 / дых. При достижении тока базы 1б некоторой предельной величины для данного RK и напряжения питания схемы ( например, до 7б5) рост тока коллектора 1К и уменьшение напряжений Ueax прекращается. Ишх близко к нулю. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5