Внутреннее сопротивление - транзистор
Cтраница 4
Работа усилительного каскада с транзистором происходит следующим образом. Напряжение источника Е2 делится между сопротивлением нагрузки Я и внутренним сопротивлением транзистора г0, которое он оказывает постоянному току коллектора. Это сопротивление приближенно равно сопротивлению коллекторного перехода гко для постоянного тока. В действительности к сопротивлению гк0 еще добавляются небольшие сопротивления эмиттерного перехода и и - и р-областей, но эти сопротивления можно не принимать во внимание. [46]
 |
Схемы компенсационного стабилизатора последовательного типа. [47] |
Ток коллектора транзистора Т2 возрастает, а потенциал коллектора Т2 становится более положительным относительно потенциала земли. Напряжение база - эмиттер транзистора Т уменьшается, что приводит к возрастанию внутреннего сопротивления транзистора Т и падения напряжения на нем. Выходное напряжение при этом уменьшается, стремясь к прежнему значению. [48]
 |
Схемы компенсационного стабилизатора последовательного типа. а - структурная. б - принципиальная. [49] |
Ток коллектора транзистора Г2 возрастает, а потенциал коллектора Т2 становится более положительным относительно потенциала земли. Напряжение база - эмиттер транзистора Т уменьшается, что приводит к возрастанию внутреннего сопротивления транзистора Т и падения напряжения на нем. Выходное напряжение при этом уменьшается, стремясь к прежнему значению. [50]
Приведены также схемы местного гетеродина и усилителя высокой частоты, так как они логически относятся к смесителю. Применяется генератор обычного типа, с резонансным контуром в коллекторной цепи и обратной связью с коллектора на эмиттер через внутреннее сопротивление транзистора и небольшую емкость внешнего конденсатора. [51]
Частные производные в этом выражении определяют приращение токов при изменении напряжений электродов, поэтому их можно взять в качестве дифференциальных параметров транзистора. Их обозначают следующим образом: SdIc / dU3w - крутизна ( проводимость прямой передачи) транзистора; СВЫхд / с / д ( / си - выходная проводимость транзистора; иногда вместо выходной проводимости берут обратную ей величину RI, называемую внутренним сопротивлением транзистора. [52]
Если изменение, напряжения на выходе стабилизатора происходит в сторону увеличения и вызывает соответствующее изменение тока в цепи делителя напряжения базы транзистора ТЗ, падение напряжения на резисторе R4 и регулировочном резисторе R3 увеличивается. Потенциал базы становится более отрицательным и еще больше открывает транзистор ТЗ. Внутреннее сопротивление транзистора уменьшается, ток в цепи и падение напряжения на резисторе R1 увеличиваются. Внутреннее сопротивление транзистора Т1 увеличивается, потенциал эмиттера становится более положительным. В результате напряжение на выходе уменьшается до заданного значения. [53]
Потенциал коллектора транзистора Т4 и базы транзистора ТЗ становится более положительным и еще больше закрывает транзистор ТЗ. Внутреннее сопротивление транзистора увеличивается, ток в цепи и падение напряжения на резисторе R10 уменьшаются. Внутреннее сопротивление транзистора Т2 увеличивается, ток в цепи и падение напряжения на резисторе R11 уменьшаются. [54]
При изменении входного сигнала в диапазоне отрицательных и положительных напряжений АК строят на комплементарных МОП-транзисторах. Если при малых значениях входного напряжения транзисторы VT1 и VT2 открыты, то при возрастании UBX до управляющего напряжения ( пусть f / BX - положительное напряжение) f / зи транзистора VT1 уменьшается, а транзистора VT2 соответственно возрастает. Внутреннее сопротивление транзистора VT1 увеличивается, а VT2 - падает. [55]
Увеличение эквивалентного внутреннего сопротивления означает, что наклон рабочей вольт-амперной характеристики пентода с сопротивлением RK будет еще меньше и, следовательно, значение Еп увеличится. При большой величине SRK улучшается линейность изменения напряжения на конденсаторе. Аналогично можно увеличить внутреннее сопротивление RJK транзистора. [56]
Наилучшим способом стабилизации частоты генераторов является применение кварцевых резонаторов. Кварцевая пластинка в электрическом отношении эквивалентна колебательному контуру с очень большой добротностью ( порядка нескольких тысяч) и, следовательно, очень малым активным сопротивлением. Благодаря этому уменьшается влияние колебаний внутреннего сопротивления транзистора или лампы на частоту генерируемых колебаний. Кварцевая пластинка, включенная в схему генератора автоколебаний, обеспечивает стабильность колебаний на частоте своего собственного резонанса, зависящей от геометрических размеров пластинки. Для более надежной стабилизации кварцевую пластинку помещают в термостат, где поддерживается постоянная температура. [57]
Коллектор транзистора Т20 в свою очередь через диоды Д9, ДЯ, транзисторы Т18 и Т19 соединен с собственной базой, в результате чего образуется цепь глубокой ООС, что повышает степень стабилизации напряжения 30 В, питающего варикапы СК. Уменьшение напряжения на базе транзистора Т / 8 приводит к увеличению внутреннего сопротивления транзистора и уменьшению тока через него. Так как опорное напряжение на стабилитроне Д9 сохраняется постоянным, на базе транзистора Т17 напряжение не изменяется. Уменьшение напряжения на эмиттере транзистора Т17 приводит к уменьшению внутреннего сопротивления и увеличению тока через него, что вызовет увеличение падения напряжения на нагрузке цепи эмиттера - резисторах RW7 и RI08 - и компенсирует изменение тока через транзистор Т18, еще больше увеличивая его внутреннее сопротивление. При уменьшении тока через транзистор Т18 падение напряжения на резисторе R1Q9 уменьшается и напряжение на коллекторе транзистора Т18 возрастает. При уменьшении напряжения на базе транзистора Т20 ток через транзистор уменьшается и напряжение на его коллекторе увеличивается до первоначально установленного значения 30 В. [58]
Роль регулирующего элемента в этой схеме играет транзистор VTi. Ток коллектора транзистора VT2 возрастает, а потенциал коллектора VT2 становится более положительным относительно потенциала земли. Напряжение база - эмиттер транзистора VT ] уменьшается, что приводит к возрастанию внутреннего сопротивления транзистора VTi и падения напряжения на нем. Выходное напряжение при этом уменьшается, стремясь к прежнему значению. [59]
 |
Последовательный коммутатор на [ IMAGE ] Упрощенная схема управления ком-полевом транзисторе. мутатором.| Последовательный коммутатор на КМОП-структуре. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5