Внутреннее сопротивление - транзистор
Cтраница 2
Предположите, что внутреннее сопротивление транзистора Rt Rc и что на рабочей частоте емкостное сопротивление С пренебрежимо мало. [16]
 |
Схемы включения лампы ( а и транзистора ( б при активном сопротивлении нагрузки. [17] |
При повышении температуры ток iKO резво возрастает, а внутреннее сопротивление транзистора падает. Для германиевых триодов приближенно можно считать, что при росте температуры на каждые 10 С величина тока / ко удваивается. Это приводит к резкому измен е-нию режима и параметров транзисторов при колебаниях температуры и является одним из существенных их недостатков. [18]
Режим короткого замыкания можно легко осуществить в цепи коллектора, где внутреннее сопротивление транзистора велико. Выполнение режима короткого замыкания в цепи эмиттера затруднено, особенно в области низких частот. Это ограничивает применение / - параметров для описания свойств транзистора. [19]
Режим короткого замыкания можно легко осуществить в цепи коллектора, где внутреннее сопротивление транзистора велико. Выполнение режима короткого замыкания в цепи эмиттера затруднено, особенно в области низких частот. Это ограничивает применение ( / - параметров для описания свойств транзистора. [20]
Режим короткого замыкания можно практически легко осуществить в цепи коллектора, где внутреннее сопротивление транзистора велико. Выполнение режима короткого замыкания в цепи эмиттера затруднено, особенно в области низких частот. Это ограничивает применение / - параметров для описания свойств транзистора. [21]
Если к обоим переходам транзистора приложено обратное напряжение, то в этом состоянии внутреннее сопротивление транзистора будет очень велико, и практически ток через транзистор пройти не сможет. [22]
Выражение (3.94) характеризует частотную поправку, обусловленную сдвигом фазы колебаний за счет влияния внутреннего сопротивления транзистора. [23]
 |
Характеристика вход-выход диодного элемента И.| Инвертор на биполярном транзисторе. а - схема. б - выходные вольт-амперные характеристики. [24] |
Когда ток базы / в-0, рабочая точка транзистора находится в точке Ь, внутреннее сопротивление транзистора велико, а ток коллектора, протекающий через него, мал и напряжение 1 / п питания схемы почти целиком приложено между эмиттером и коллектором. [25]
 |
Схема ( а и вольт-амперная характеристика ( б транзистора с общим эмиттером. [26] |
Первый член определяет падение напряжения на сопротивлении нагрузки Яш второй - падение напряжения на внутреннем сопротивлении транзистора. Ян рабочая точка ( Л) определится на графике пересечением реостатной характеристики внешней цепи ( прямая, соединяющая точки / к. [27]
Основная часть этих носителей, проходя через коллекторный переход, снижает его сопротивление, в результате чего внутреннее сопротивление транзистора постоянному току уменьшается и коллекторный ток возрастает. При достаточно большом значении резистора RK падение напряжения, создаваемое на нем коллекторным током, будет в десятки раз превосходить величину напряжения, подаваемого на вход. А поскольку величина коллекторного тока, примерно равная току эмиттера, во много раз превышает величину тока базы, в такой схеме происходит большое усиление по току и еще больше по мощности. [28]
Первый член представляет собой падение напряжения на сопротивлении нагрузки Ra, второй член - падение напряжения на внутреннем сопротивлении транзистора. [29]
 |
Эквивалентные схемы усилительных ступеней с электронной лампой ( а и транзистором ( б. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5