Внутреннее сопротивление - транзистор
Cтраница 3
В усилительной ступени с транзистором напряжение коллекторного источника Е2 ( рис. 6.186) делится между сопротивлением нагрузки RH и внутренним сопротивлением транзистора, которое он оказывает постоянному току коллектора. Это сопротивление приближенно равно сопротивлению коллекторного перехода RK для постоянного тока. В действительности к нему еще добавляются небольшие сопротивления тонкого слоя базы и эмиттерного перехода, которые можно не принимать во внимание. [31]
 |
Простейшая схема последовательного транзисторного. [32] |
С нет переменной составляющей напряжения, то пульсация на нагрузке L / o - оказывается приложенной к переходу эмиттер-база транзистора в оротивофазе с изменением коллекторного напряжения, компенсируя пульсации напряжения на входе фильтра за счет изменения внутреннего сопротивления транзистора. [33]
УЛПЦТ-59-П-10 / 11 / 12, УЛПЦТ-61-П и УЛПЦТ ( И) - 61 - Н всех модификаций ( рис. 25) определяется не только емкостью конденсаторов С39, С46 и сопротивлением резисторов R67, R70, R73, R71, но и внутренним сопротивлением транзисторов Т1 и Т2, которое зависит от режима и протекающего через них тока. [34]
Внутреннее сопротивление транзистора уменьшается, ток в цепи и падение напряжения на резисторе R11 увеличиваются. Внутреннее сопротивление транзистора уменьшается, ток в цепи и падение напряжения на нагрузке и делителе напряжения источника питания увеличиваются до заданной величины - 12 В. [35]
Потенциал коллектора транзистора Т4 и базы транзистора ТЗ становится более положительным и еще больше закрывает транзистор ТЗ. Внутреннее сопротивление транзистора увеличивается, ток в цепи и падение напряжения на резисторе R10 уменьшаются. Внутреннее сопротивление транзистора Т2 увеличивается, ток в цепи и падение напряжения на резисторе R11 уменьшаются. [36]
Внутреннее сопротивление транзистора увеличивается. Внутреннее сопротивление транзистора уменьшается, потенциал эмиттера становится более отрицательным. Напряжение на выходе источника питания увеличивается. Величина тока в цепи: О В, R22; параллельно: R21, R23; последовательно: Dll, R20, - Usjj - и падение напряжения на резисторах R22 и R21 увеличиваются. Внутреннее сопротивление транзистора Т6 увеличивается, потенциал эмиттера становится более положительным. Напряжение на выходе источника питания уменьшается. [37]
Падение напряжения на сопротивлении открытого диода D7 и транзистора Т4 создает небольшой отрицательный потенциал и значительно закрывает транзистор ТЗ. Внутреннее сопротивление транзистора увеличивается. [38]
Для сильных сигналов, когда внутренние сопротивления транзисторов повышаются, ты искусственно ввел здесь сопротивление, которое уменьшается. И, таким образом, мы одним изменением компенсируем другое. Кроме того, возросшие потери в контуре снижают усиление, что усиливает действие АРУ. [39]
 |
Схемы однокаскадных усилителей с подключением транзистора с ОБ ( а, ОЭ ( б и ОК ( в.| Эквивалентная схема однокас-кадного транзисторного усилителя, поясняющая усилительные свойства транзистора. [40] |
С служит для выделения переменной составляющей сигнала. Выходной сигнал представляется падением напряжения на внутреннем сопротивлении транзистора. В свою очередь, сопротивление транзистора будет сильно зависеть от напряжения на входе усилителя. Поскольку амплитуда входного сигнала в общем случае будет меняться, то в связи с нелинейностью вольт-амперной характеристики транзистора меняется в соответствии с этим и сопротивление транзистора в выходной цепи. Поэтому для всех трех схем однокаскадных усилителей справедлива эквивалентная схема на рис. 5.17. Эта схема представляет собой двузвенный делитель напряжения Ек. Одно звено постоянное и является сопротивлением нагрузки, второе звено представляет собой сопротивление транзистора по коллекторной цепи и меняет свое значение / - тр в зависимости от t / BX при постоянных Еэ, Еб и Ек. Через гтр обозначим сопротивление транзистора по выходной цепи. С изменением гтр меняется выходное напряжение ( / Вых - Можно всегда подобрать такие значения Еб, Яэ и Ек, чтобы выполнялось неравенство PSb xPSx, где РВХ / ВХ. В этом и заключается усилительное свойство биполярного транзистора. [41]
Ек - 1КбоЯк) - ЕК, Внутреннее сопротивление транзистора в режиме отсечки велико. На семействе выходных характеристик режим отсечки соответствует нижнему пологому участку, на котором ток коллектора / к / кбо. Так как токи, протекающие через транзистор, малы, то закрытое состояние транзистора соответствует разомкнутому состоянию ключевого элемента. [42]
 |
Эквивалентная схема од-нокаскадного транзисторного усилителя, поясняющая усилительные свойства транзистора. [43] |
Конденсатор С служит для выделения переменной составляющей сигнала. Выходной сигнал представляет собой падение напряжения на внутреннем сопротивлении транзистора. В свою очередь, сопротивление транзистора будет сильно зависеть от напряжения на входе усилителя. Поскольку амплитуда входного сигнала в общем случае будет меняться, то в связи с нелинейностью вольт-амперной характеристики транзистора меняется и сопротивление транзистора в выходной цепи. Поэтому для всех трех схем однокаскадных усилителей справедлива эквивалентная схема на рисунке 5.15. Эта схема представляет собой двухзвенный делитель напряжения Ек. Одно звено постоянное и является сопротивлением нагрузки, второе звено представляет собой сопротивление транзистора по коллекторной цепи и меняет свое значение гтр в зависимости от UBX при постоянных Еэ, Е6 и Ек. Через Гф обозначим сопротивление транзистора по выходной цепи. С изменением г меняется выходное напряжение UBblx. [44]
 |
Схема включения транзистора в усилительный каскад ( схема с общим эмиттером.| Эквивалентная схема коллекторной цепи усилительного каскада. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5