Базовое сопротивление

Cтраница 1

Относительное базовое сопротивление показывает, какая часть базового напряжения, приложенного к цепи, падает в рассматриваемом сопротивлении при прохождении по нему базового тока. [1]

Низкое базовое сопротивление прибора требует сильного легирования базовой области и, таким образом, высокой удельной емкости эмиттера, вследствие чего приходится ограничиваться малыми площадями базы и большими плотностями тока. [2]

Элемент ИЛИ-НЕ типа РТЛ.| Элемент И-НЕ типа ДТЛ... [3]

Относительно низкоомное базовое сопротивление обеспечивает полное открывание транзисторов при малом потреблении тока. Однако это приводит к весьма малой нагрузочной способности элемента. [4]

Базовые сопротивления R ключевых триодов при отсутствии сигналов на входах пересчетной схемы находятся под нулевым потенциалом; поэтому триоды Г7 и Tg заперты и можно считать, что в цепи запуска включены практически бесконечные сопротивления. Импульсы тока со входа сложения I и вычитания II через диоды DI и Д2 поступают в цепь запуска первого триггера. [5]

Схемы включения и векторные диаграммы ИД при сдвиге конденсатором и схемой. [6]

За базовое сопротивление принято активное сопротивление ротора Гду, приведенное к обмоточным данным фазы управления. [7]

Эквивалентная схема диода.| Временные диаграммы напряжения при прохождении через диод прямоугольного импульса тока. [8]

Величину базового сопротивления можно найти, измеряя начальное падение напряжения на диоде и. Зависимость сопротивления базы от тока диода определяется измерением перепада напряжения ( и2 - из) после окончания импульса тока. [9]

Широкополосный усилитель со стабилизацией по постоянному напряжению. [10]

Показанные пунктиром базовые сопротивления служат для предотвращения высокочастотной генерации. Их следует выбирать как можно меньшими, чтобы не ухудшить выходное сопротивление и граничную частоту схемы. [11]

Гб - базовое сопротивление транзистора - важен как для высокочастотных, так и для импульсных применений, посколько он во многом определяет входное сопротивление транзистора. Измерение постоянной времени тк не решает полностью задачу определения TQ. [12]

При высоких частотах высокое базовое сопротивление в р - - переходе или высокая емкость варикапа с р - - переходом могут быть ограничивающими факторами. Применение МДП варикапа ( вместо р - n - перехода) в этом случае более оправдано. К тому же изготовить МДП варикап значительно легче, чем р - - переход, так как здесь подводящие электроды одновременно выполняют функции металлических электродов; нет необходимости в высокотемпературном диффузионном цикле и большом количестве фотолитографических операций, и поэтому выход приборов более высок. [13]

Двухтактный эмиттерный повторитель. [14]

Входная цепь содержит базовые сопротивления RQ, которые выполняют роль стабилизаторов тока и вместе с резисторами RI, R % и ста-бисторами VD1 и VD2 задают необходимое смещение на базе в режиме покоя. Эмиттерные повторители, как правило, работают в режиме класса АВ, реже - в режиме класса В. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5