Базовое сопротивление

Cтраница 2

Важным следствием модуляции базового сопротивления является уменьшение коэффициента инжекции, характеризующего долю дырочного тока на базовой границе перехода. [16]

Диаграммы напряжений в мультивибраторе с емкостными связями и одним источником эмиттер-иого питания относительно точки соединения резисторов Rsi, /. 62, RKI И RKZ-а - на коллекторе транзистора Т. б - на базе транзисто. [17]

Изменяя точки подключения базовых сопротивлений, можно получить ряд разновидностей этого мультивибратора. [18]

Важным следствием модуляции базового сопротивления является уменьшение коэффициента инжекции, характеризующего долю дырочного тока на базовой границе перехода. [19]

Все описанные методы измерения базового сопротивления непригодны для цеховых испытаний, вместе с тем параметр тк обеспечивает достаточно надежный контроль технологии в процессе производства транзисторов. [20]

Оценим ТКН, обусловленный базовым сопротивлением. [21]

Оценим температурную чувствительность, обусловленную базовым сопротивлением. [22]

Теперь посмотрим, как отражается модуляция базового сопротивления на форме вольт-амперной характеристики диода Ч Для этого запишем сначала падение напряжения на базе. [23]

Точный анализ схемы с учетом модуляции базового сопротивления требует решения нелинейного дифференциального уравнения. Однако практика показывает, что в этом нет особой необходимости, поскольку схемы, в которых длительность импульса существенно зависит от нелинейных свойств сопротивления гб, имеют ряд недостатков. [24]

Таким образом, частота схемы определяется базовыми сопротивлениями и емкостями. Однако необходимую частоту мультивибратора получают изменением емкостей, а не сопротивлений. Дело в том, что с увеличением сопротивления R открытый транзистор не будет насыщен, что ухудшит стабильность частоты и форму импульса. [25]

Выключение р-п-р-п структуры с помощью управляющего электрода.| Распределение токов в р-п-р-п структуре, выключаемой с помощью управляющего. [26]

Это связано с тем, что наличие продольного базового сопротивления не позволяет отводить заряд в областях, удаленных от управляющего электрода. Электрическая прочность перехода / i ограничивает запирающее напряжение, а следовательно, и ток. В силовых приборах этот переход выполняется низковольтным, что ограничивает их возможности в выключении. С учетом вышеизложенного тиристоры с выключением по цепи управления проектируются с разветвленным управляющим электродом, при этом протяженность n - эмиттера выбирается, исходя из электрической прочности катодного р-п перехода. Конструкция рассматриваемого прибора приближается, таким образом, к конструкции мощного транзистора. [27]

Если линия О А семейства II определяется базовым сопротивлением, то линия 0В семейства I определяется истинным сопротивлением насыщения транзистора. [28]

Рассчитывают по формуле ( 7 - 11) базовые сопротивления. [29]

Следует обратить внимание на одно обстоятельство при выборе базовых сопротивлений ключевых триодов. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5