Базовое сопротивление

Cтраница 4

В ряде работ при расчете задержки и длительности фронта импульса учитывается изменение входного сопротивления транзистора: в работе [1] - изменением базового сопротивления, а в работе [2] - изменением эмиттерного сопротивления. [46]

Влияние подобного разброса аналогично влиянию микронеодно-родностей удельного сопротивления в исходном полупроводнике: он приводит к разбросу глубин переходов, локальных коэффициентов усиления и базового сопротивления. Однако если пути устранения микронеоднородностей еще не найдены, то разброс поверхностного сопротивления удалось довести до очень малых величин. [47]

Обычно удобно задаваться базовыми значениями мощности и напряжения и по ним уже определять базовый ток / б S6 / J / 3 иъ и базовое сопротивление. [48]

Anfc / / B - нормированный ток секции m на участке k периода коммутации; / Б - базовый ток, равный отношению номинального напряжения - управления к базовому сопротивлению; y Uy / UH - коэффициент сигнала управления, равный в данном случае отношению напряжения управления к номинальному; со Q / fi0 - относительная угловая скорость вращения; a - текущее значение угла поворота ротора; р - угол опережения включения силовых транзисторов коммутатора. [49]

Структура сплавного германиевого транзистора с сильнолегированным слоем в активной и. [50]

Если по каким-либо причинам нельзя создавать в базовой области сильнолегированный слой ( например, если необходимо сохранить высокое пробивное напряжение эмиттер - база), то для уменьшения влияния базового сопротивления на выходные характеристики мощного транзистора в области малых напряжений необходимо обеспечить такую конфигурацию транзисторной структуры, при которой коллекторная область не будет находиться под базовыми контактами и пассивной базовой областью. [51]

Таким образом, высокое время жизни в базе мощных сплавных транзисторов нужно не только для того, чтобь обеспечить высокий коэффициент усиления по току, но и для того, чтобы иметь малое базовое сопротивление и. [52]

Дефекты и неоднородности в транзисторных структурах могут различным образом влиять на их свойства: они могут приводить к уменьшению коэффициента усиления по току и предельной частоты коэффициента усиления по току или к увеличению базового сопротивления. В результате появления тех или иных дефектов могут увеличиваться обратные токи переходов и снижаться их пробивные напряжения. Характерным показателем наличия в диодной или транзисторной структуре дефектов является так называемый мягкий пробой, при котором, в отличие от резкого пробоя, постепенное и довольно значительное возрастание обратного тока начинается задолго до приближения к пробивному напряжению. Определенные дефекты могут увеличивать вероятность перехода транзисторов в состояние вторичного пробоя. Наконец, более серьезные дефекты могут приводить к короткому замыканию между различными областями транзисторной структуры. Некоторые дефекты, не оказывая серьезного влияния па параметры транзисторных структур сразу после их изготовления, приводят к постепенному их изменению в процессе работы и, таким образом, ухудшают стабильность приборов. [53]

Вследствие малой емкости коллекторного перехода по-р-ядка 0 5 мкмкф при напряжении коллектора 10 в) и небольшой величины базового сопротивления ( менее 100 ом) предельная частота цепи коллектора, определяемая емкостью коллектора и комбинацией базового сопротивления и сопротивления г с, на порядок выше измеряемой предельной частоты усиления по току. Следовательно, она не влияет на высокочастотные характеристики триода. [54]

Частотная зависимость входно - [ IMAGE ] Векторные соотно. [55]

Эквивалентный четырехполюсник, который достаточно близко представляет полную входную проводимость каскада на кристаллическом триоде, показан на рис. 5.9. Этот четырехполюсник имеет частотную характеристику, подобную показанной на рис. 5.7. Сопротивление, включенное последовательно с базовым сопротивлением кристаллического триода, ограничивает величину частотной коррекции, которая может быть получена при использовании низкоомного сопротивления нагрузки по постоянному току. [56]

Для сопоставления измеренного сопротивления с паспортным или другим, принятым в качестве исходного ( базового), измеренного, например, при пусконаладочных испытаниях или после капитального ремонта с заменой обмотки трансформатора, производится приведение измеренного сопротивления к температуре, при которой определялось базовое сопротивление. [57]

Параметры моста определяются, как и в предыдущем случае. Поскольку базовое сопротивление R6 должно быть много больше эмиттерного Яэ и получается достаточно большим, для ускорения процесса разряда обязательно необходимо включать базовый разрядный диод. [58]

За время протекания импульса эмиттерного тока допускается спад коллекторного напряжения, не превышающий 10 % от напряжения коллекторного источника. Величина базового сопротивления допускается такой, чтобы падение на нем не превышало 10 % напряжения коллекторного источника. Полярность этого напряжения совпадает с полярностью коллекторного напряжения. Поэтому падение напряжения на базовом сопротивлении частично компенсирует спад коллекторного напряжения к концу импульса эмиттерного тока. [59]

Является ли кристаллический триод, величины параметров которого перечислены на рисунке, устойчивым при коротком замыкании. Каким должно быть максимальное базовое сопротивление, чтобы допустить устойчивую работу при коротком замыкании. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5