Базовое сопротивление

Cтраница 3

Кроме того, от распределения обоих диффундирующих веществ зависит базовое сопротивление. Эти три фактора подробно рассмотрены ниже. [31]

Эквивалентная схема для расчета коэффициента шума. [32]

Генератор шумового тока базы / Шб отображает тепловые шумы базового сопротивления г д, не связанные статистически с шумами эмиттерного и коллекторного переходов. [33]

Пример распределения линий тока в базовой области. [34]

Схема, показанная на рис. 2.49, практически используется для измерения базового сопротивления на емкостном токе. Генератор высокой частоты подключен к транзистору через малую емкость, которая обеспечивает условия генератора тока по отношению к г б транзистора. [35]

Элементы РКТЛ отличаются от элементов РТЛ только наличием конденсаторов, которые шунтируют базовые сопротивления. [36]

Исход запирания триода в зависимости от мгновенного значения плавающего напряжения питания. [37]

Вследствие умножения в коллекторном переходе и протекания большого обратного тока базы по распределенному базовому сопротивлению эмиттер может оказаться открытым В центре. [38]

Возрастание о при увеличении тока эмиттера вызвано, по-видимому, разбросом падения напряжения на базовом сопротивлении гг, ( рис. 1) при протекании базового тока. Непропорциональный рост сти при увеличении / э объясняется, по-видимому, модуляцией сопротивления базы из-за вытеснения тока к краям эмиттера. Разброс при малых токах эмиттера должен определяться разбросом прямого напряжения перехода эмиттер - база. Такой небольшой разброс напряжения для серийных транзисторов является неожиданным. Для разработчиков транзисторных схем открываются новые возможности использования транзисторов в схемах аналоговых и цифровых устройств. [39]

Ток коллектора транзистора в каскадах /, 2, 3, 3 устанавливают, изменяя переменное базовое сопротивление, а в каскаде 4 с помощью переменного эмиттерного сопротивления. Переменные сопротивления выведены на переднюю панель стенда. [40]

В преобразователе напряжения, схема которого приведена на рис. 17 - 54 6, используется общее базовое сопротивление ( резистор Лб) которое вместе с сопротивлением смещения ( резистор Ясм) образует пусковую цепь. [41]

В то время как сопротивлениями областей эмиттера и коллектора в общем случае можно пренебречь, внутреннее базовое сопротивление г55 оказывает заметное влияние на свойства транзистора. [42]

Кроме того, очень высокие уровни инъекции, при которых работают эти триоды, очень затрудняют расчет эффективного базового сопротивления. [43]

Вследствие малой емкости коллекторного перехода по-р-ядка 0 5 мкмкф при напряжении коллектора 10 в) и небольшой величины базового сопротивления ( менее 100 ом) предельная частота цепи коллектора, определяемая емкостью коллектора и комбинацией базового сопротивления и сопротивления г с, на порядок выше измеряемой предельной частоты усиления по току. Следовательно, она не влияет на высокочастотные характеристики триода. [44]

Транзисторы Ту, и Тзк закрыты нулевым потенциалом, поступающим из блока МЗ на входы 1 - 6 через базовые сопротивления то - Kre - Следовательно, выбирающие электромагниты МКС-1, МКС-2, МКС-3 не будут включены. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5