Состав - остаточный газ
Cтраница 4
Цри напылении тонких пленок в вакууме, помимо разряжения, создаваемого в рабочем объеме иапылительной установки, большое значение имеет состав остаточных газов, а также состав и количество тех газов, которые выделяются в процессе разогрева, испарения, конденсации и последующей термообработки напыляемого материала. [46]
Далее находят количество каждого конденсата в остаточном газе, общее количество остаточного газа, равное 100 - L, и состав остаточного газа. [47]
Методы масс-спектрометрического анализа используют для контроля чистоты газообразных веществ ( например, используемых в полупроводниковой промышленности), для определения состава остаточных газов в вакуумных установках, для изучения атомов, молекул и ионов в атмосфере земли и других планет, ионосфере и космическом пространстве. [48]
Исследования различных вариантов технологических процессов показали, что в зависимости от распыляемого материала и скорости испарения, условий напыления, состава остаточных газов в вакуумной камере и последующей обработки в тонких пленках могут возникать как растягивающие, так и сжимающие напряжения. [49]
 |
Катодный узел рентгеновской трубки.| Масс-спектр газов в рентгеновской трубке со склеенным катодным узлом. [50] |
При использовании органосиликатного материала для склеивания деталей микрофокусной рентгеновской трубки, естественно, встал вопрос, как влияет присутствие клеящего материала на состав остаточных газов в трубке во время ее работы. Поскольку склеенный узел расположен в непосредственной близости к катоду, его температура при работе катода повышается, а следовательно, должно иметь место газовыделение. При этом особенно нежелательно повышение фона углеводородов, так как от этого зависит в значительной степени работа катода, межэлектродные сопротивления и, в конечном счете, срок службы трубки. [51]
 |
Отсасываемые объемы. [52] |
Внутри этих камер должны создаваться условия, максимально близкие к условиям в космическом пространстве не только по общему давлению в системе, но и по составу остаточных газов. [53]
Указанные условия, по-видимому, недостаточны для получения бездефектных пленок, так как в работе [12] воспроизвести этот результат не удалось: видимо, здесь следует учитывать также состав остаточных газов и их давление. [54]
Некоторые авторы считают, что такое различие в величине удельного сопротивления объясняется наличием преимущественной ориентации микрокристаллитов пленки при определенной комбинации технологических параметров: скорости конденсации, давления и состава остаточных газов. Переход к более плотно упакованным структурам происходит при уменьшении давления остаточных газов и увеличении скорости напыления. Если учесть, что отношение ретикулярных плотностей атомов в этих плоскостях соответственно равно 0 58: 1: 1 44 ( 100; 111; 110), то можно объяснить значительные уходы величины сопротивления при термостабилизации резисторов, изготовленных в плохих и промежуточных вакуумных условиях. [56]
Ввиду зависимости состава остаточных газов от температуры и токоотбора с катода часто встречаются случаи, когда при хранении прибора в нерабочем состоянии происходит необратимое отравление катода ( из-за неблагоприятного состава остаточных газов), а при работе аналогичного прибора катод долгое время сохраняет свои эмиссионные свойства. Это объясняется тем, что при наличии потока электронов отравляющие катод газы и пары превращаются в менее ядовитые для катода вещества, которые интенсивно поглощаются газопоглотителем. Например, наиболее благоприятным основным компонентом остаточных газов для оксидного катода является водород, а не окись углерода. [57]
 |
Относительное измерение состава остаточных газов вблизи от поверхности карбида циркония.| Изменения скоростей испарения молибдена в зависимости от давления остаточных газов в приборе. [58] |
В качестве примеров, подтверждающих химическое взаимодействие молекул остаточных газов с поверхностью вещества, могут служить графики ( рис. 8, 9, 10), где показано изменение состава остаточных газов у поверхности образцов карбида и циркония при испарении и влияние давления остаточных газов на скорости испарения и теплоту сублимации молибдена. [59]
Несмотря на то, что формально соблюдают условия, необходимые для получения высокой степени корреляции СВОЙСРВ свидетеля и резисторов микросхемы ( скорость поступления паров в окрестность свидетеля и резисторов микросхемы более или менее одинакова; температура на свидетеле и подложке также более или менее одинакова; давление и состав остаточных газов один и тот же, время напыления и стабилизации тоже одинаковы), имеются отличия в толщине и свойствах резистивной пленки свидетеля и резисторов, причем тем больше, чем меньше толщина пленки. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5