Быстрое состояние

Cтраница 1

Быстрые состояния имеют разную природу. Так, структурное рассогласование кремния и его двуокиси на границе раздела может привести к появлению ооорванных связей, которые можно насытить при отжиге в водороде. Появление быстрых состояний может быть обусловлено существованием примесей в кремнии [1660], а также заряженными ионами или диполями, расположенными в слое двуокиси кремния вблизи границы раздела ( см., например, работу [635], а также § 5 гл. [1]

Структура реальной поверхности полупроводника. [2]

Быстрые состояния имеют время установления равновесия зарядов около Ю-8 сек и плотность около 1015 м - 2, которая зависит от обработки поверхности полупроводника. [3]

Быстрые состояния характеризуются временем захвата носителей заряда порядка микросекунд. Они локализованы в основном на самой границе кристалла. [4]

Быстрые состояния, или, как их часто называют применительно к МДП-структурам, межфазные состояния, расположены в приповерхностной области самого полупроводника. [5]

Виды поверхностных слоев в полупроводниках п - и р-типов.| Энергетическая диаграмма ( о и распределение зарядов ( б н поверхностном слое полупроводника при наличии поверхностных состояний. [6]

Быстрые состояния в основном определяют генерацию и рекомбинацию носителей заряда на поверхности, изменяя поверхностную проводимость и оказывая сильное влияние на параметры полупроводниковых приборов. Медленные состояния на поверхности окисной пленки используются для защиты и стабилизации поверхности полупроводниковых приборов, поскольку заряд на этих уровнях экранирует прибор и, закрепляя уровень Ферми, обеспечивает стабильную величину поверхностного потенциала полупроводника. [7]

Быстрые состояния расположены на границе раздела между полупроводником и покрывающей поверхность пленкой оксида. [8]

Быстрые состояния имеют время захвата не более микросекунд. Медленные состояния могут характеризоваться временем захвата от единиц миллисекунд до нескольких часов. [9]

Энергетические зоны около реальной поверхности полупроводника. [10]

Некоторые быстрые состояния могут являться донорными или акцепторными. [11]

Установлено, что быстрые состояния расположены на границе между полупроводником и пленкой окисла. Медленные состояния находятся внутри и на поверхности окисного слоя. [12]

Отсутствие структуры в спектрах быстрых состояний реальной поверхности кремния часто объясняют высокой плотностью уровней дефектов, когда точка перегиба г-уровня маскируется хвостами фермиевских кривых соседних г 1-уровней. [13]

В зависимости от вида распределения быстрых состояний возможно изменение характера зависимости S ( Y) от монотонной до колоколо-образной. Вариация вероятностей переходов в модели [209] позволяет изменять абсолютную величину скорости поверхностной рекомбинации в широких пределах. [14]

Присутствие кислорода уменьшает как плотность медленных и быстрых состояний, так и плотность скрытых дефектов. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5