Быстрое состояние
Cтраница 3
В этом случае в захвате первого носителя заряда принимают участие быстрые состояния. Высокие значения сечений захвата этих состояний связаны с низкой полиризуемостью дефектов, составляющих их основу, а следовательно, и с малой перестройкой окружения центра в акте захвата. Кроме того, рекомбинационные центры находятся в хорошем контакте с фононной подсистемой кремния. [31]
Рассмотренные выше эксперименты убедительно показали, что, во всяком случае, часть быстрых состояний связана с разорванными связями кремния. Положение уровней таких центров будет определяться как электронными корреляциями, так и электрон-фононными взаимодействиями локализованных в них электронов. В том случае, когда при захвате второго электрона на парамагнитный рь-и етр выигрыш в энергии от связанного с ян-теллеровским смещением изменения поляризации окружения центра превышает проигрыш в энергии, обусловленный кулоновским отталкиванием электронов, наблюдается андерсеновская локализация. [32]
На неупорядоченной границе раздела Si - SiO2 благодаря высокой концентрации флуктуациолных полей энергетический спектр быстрых состояний приобретает кооперативные свойства, при этом индивидуальные свойства тех или иных дефектов структуры в значительной мере нивелируются. Овсюк и Ржанов [175] одними из первых высказали мысль, что квазинепрерывный характер спектра быстрых состояний связан с нарушением симметрии атомного потенциала в приповерхностной области кристалла. Сильное влияние адсорбции дипольных молекул-на спектр быстрых состояний авторы объясняют тем, что, мигрируя по поверхности, эти молекулы закрепляются вблизи наиболее сильных флуктуации потенциала и тем самым сглаживают эти флуктуации. Последнее приводит к уменьшению захвата носителей заряда в эффекте поля. [33]
Это значит, что здесь включается еще некоторый механизм рассеяния, независимый от перезарядки быстрых состояний. Это может быть рассеяние на рифленом потенциале неперезаряжающихся центров заряда окисла: диспергированных в приповерхностном слое заряженных включений SiO2, заряженных дислокаций и др. Именно для менее совершенных систем Si - SiO2 роль таких механизмов будет возрастать. [34]
Экспериментально установлено, что окружающая среда существенно влияет на медленные и почти не влияет на быстрые состояния. Большое время релаксации медленных состояний определяется длительным временем проникновения электронов сквозь изолирующий слой окисла, практически всегда имеющийся на поверхности полупроводника. [35]
Таким образом, независимо от природы наведенных зарядов кинетика их релаксации и кинетика изменения плотности быстрых состояний совпадают. [36]
Плотность состояний на границе раздела Si - SiO2 не превышает 1011 см-2, причем в основном это быстрые состояния. [37]
Последнее приведет к появлению р / - и р0 - иентР в т-е - к росту плотности быстрых состояний. Кроме того, реакция атомов Н с напряженными связями в слое Si02 ( например, схема 2 в (5.11)) может генерировать вакансионные дефекты типа модифицированных Е [ - центров. [38]
Для реализации условия AQft О следует просто использовать достаточно быстро меняющуюся подсветку, бороться же с влиянием быстрых состояний труднее - нужно либо уменьшать их плотность, либо проводить такие обработки, чтобы на поверхности доминировало влияние центров быстрой рекомбинации, на которых, как известно, нет существенного накопления носителей. [40]
Поэтому для стабильной перестройки частоты генерации связанной системы при изменении коэффицента связи между волноведущими системами предпочтительно добиваться установления быстрого состояния путем соответствующего выбора параметров прибора. [41]
Однако наши исследования [122] указывают на отсутствие каких-либо заметных корреляций между изменениями зависимости SM ( Y) и захватом на быстрые состояния QfS ( Y) при термообработке и адсорбции. Последнее заставляет предположить, что за рекомбинацию и захват ответственны две независимые группы поверхностных состояний, отличающиеся сечениями захвата и концентрациями. [43]
Если заряд, локализованный в этих состояниях, не зависит от переменного напряжения, то такие состояния называют медленными в отличие от быстрых состояний. Изменение заполнения состояний на границе раздела приводит к гистерезисным явлениям, которые проявляются в том, что при увеличении и уменьшении напряжения на затворе одному и тому же значению напряжения будут соответствовать различные значения емкости. [44]
Применение методики эффекта поля позволило избежать экранирующего действия металлического затвора в МДП-структуре и наиболее ярко выявить влияние полей зарядов диэлектрика на захват на быстрые состояния. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5