Cтраница 5
Для различных мультистабильных состояниий различаются частоты совместных ВЧ-колебаний связанной системы. Видно, что с увеличением связи частота генерации в быстром состоянии уменьшается, а в медленном - наоборот, растет. Такое поведение частоты генерации связано с видом дисперсионной кривой волновода. Введение связи между волноведущими структурами изменяет скорость распространения нормальных волн системы. [61]
На неупорядоченной границе раздела Si - SiO2 благодаря высокой концентрации флуктуациолных полей энергетический спектр быстрых состояний приобретает кооперативные свойства, при этом индивидуальные свойства тех или иных дефектов структуры в значительной мере нивелируются. Овсюк и Ржанов [175] одними из первых высказали мысль, что квазинепрерывный характер спектра быстрых состояний связан с нарушением симметрии атомного потенциала в приповерхностной области кристалла. Сильное влияние адсорбции дипольных молекул-на спектр быстрых состояний авторы объясняют тем, что, мигрируя по поверхности, эти молекулы закрепляются вблизи наиболее сильных флуктуации потенциала и тем самым сглаживают эти флуктуации. Последнее приводит к уменьшению захвата носителей заряда в эффекте поля. [62]
Если поверхность кристалла не очищена, система ведет себя более сложно и состоит из кристалла, тонкого слоя второй твердой фазы ( окисла) и газа. Медленные состояния, обнаруженные при таких условиях, обычно связывают с внешними окисными поверхностями, а быстрые состояния - с поверхностью раздела кристалл - окисел. Пространственный заряд внутри окисного слоя обычно не учитывается. [63]