Быстрое состояние
Cтраница 2
Так же дискуссионен вопрос о распределении быстрых состояний по сечениям захвата. Такая асимметрия объясняется различной протяженностью хвостов плотности состояний у обеих разрешенных зон. Уменьшение сечений захвата вблизи разрешенных зон и их слабая температурная зависимость [129, 187] плохо согласуются с многофононным механизмом захвата. Каскадный механизм захвата Лэкса также маловероятен ввиду ограниченного количества возбужденных уровней у нейтральных центров захвата. Авторы [188] связывают падение сПгр вблизи разрешенных зон с понижением барьеров во флуктуационных полях. [16]
Некоторая часть неподвижного заряда сосредоточена на быстрых состояниях, часть из которых служит ловушками рекомбинации. Эта часть заряда зависит от способа получения оксида. Остальной заряд находится на медленных состояниях. [17]
Поверхностная рекомбинация, очевидно, осуществляется через быстрые состояния, так как время перехода свободных носителей заряда на медленные уровни слишком велико. [18]
Энергетическая картина поверхности представлена на рис. XIV.I. Быстрые состояния отмечены на графике символом gf, медленные состояния - % А и gD для состояний акцепторного и донорного типов соответственно. Эти уровни не следует смешивать с донорными уровнями внутри объема полупроводника. Фактически здесь речь идет о двух типах поверхностных зарядов. Обратим особое внимание на то, что донорные состояния расположены ниже уровня Ферми, а акцепторные - выше. [19]
При всех обработках кремния квазинепрерывный характер спектра быстрых состояний сохраняется. [20]
Авторы считают, что наиболее вероятной основой быстрых состояний являются угловые атомы ступенек с разорванной связью, т.е. рй-центры, о которых говорилось выше. С теми же ступеньками авторы связывают и заряд диэлектрика. Однако при этом остается нераскрытой причина столь различных сечений захвата между этими двумя группами поверхностных состояний. [22]
Изменения полного заряда за счет изменения заряда быстрых состояний не происходит, поскольку этот заряд ранее присутствовал на медленных состояниях, часть которых при 500 К превратилась в быстрые. Прогрев при 650 К соответствует обратному превращению части быстрых поверхностных состояний в медленные. [23]
Последнее приведет к обратимым изменениям кривой захвата на быстрые состояния QfS ( Ys) и к появлению на энергетическом спектре дополнительной плотности кажущихся поверхностных состояний Nfs. Однако при таком объяснении необходимо допустить одинаковый характер распределения флуктуации потенциала при перезарядке электронных ловушек и накоплении протонов, что само по себе весьма странно. [24]
Накоплен обширный экспериментальный материал по измерениям энергетических спектров быстрых состояний как на реальных поверхностях кремния, проведенных с помощью методики эффекта поля [119-124] и поверхностной фотоЭДС на большом сигнале [125-127], так и в структурах МДП, выполненных с помощью различных методик ( CV, ( 7со и НЕСГУ) [128-134], Вся совокупность полученных данных однозначно свидетельствует о квазинепрерьшном спектре быстрых состояний. На рис. 5.17 представлены типичные спектры быстрых состояний для реальных поверхностей кремния и для МДП-струк-тур. [26]
Однако при всем многообразии воздействий на поверхность энергетический спектр быстрых состояний сохраняет свой квазинепрерывный характер. [27]
Согласно электронной теории неупорядоченных систем доминирующая роль квазинепрерывного спектра быстрых состояний, конечно, не исключает существования дискретных уровней в запрещенной зоне. [28]
Как видно из рис. 5.17, а, плотность быстрых состояний, отнесенная к единичному энергетическому интервалу dNfs, существенно зависит от типа травителя, прогревов в сверхвысоком вакууме и от адсорбции атомов водорода, т.е. от химического состава поверхности. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5