Cтраница 2
Высокая разрешающая способность электронного микроскопа открыла новые возможности в изучении такого важного явления, как поверхностная диффузия на твердых телах. Уже в ранних работах по прикладной электронной микроскопии был отмечен ряд качественных наблюдений в этом отношении. [16]
Предельная разрешающая способность электронных микроскопов, как и других сйето - и электроннооптиче-ских приборов, ограничивается явлением дифракции. [17]
Улучшение разрешающей способности электронных микроскопов в сочетании с увеличением их ускоряющего напряжения обусловливает возможность широкого применения метода прямого разрешения для исследования кристаллических, в том числе металлических объектов. Электронно-микроскопические изображения, полученные этим методом, дают наиболее наглядное представление ( в пределе - на атомном уровне) о структуре реального объекта. [18]
Однако реально разрешающая способность электронного микроскопа значительно ниже вследствие электронно-оптической аберрации - искажений, размытия электронно-оптических изображений, вызываемых потерей энергии при взаимодействии электронов с веществом, нестабильностью источников питания и электронных линз и др. Тем не менее разрешение современных электронных микроскопов достигает 0 3 - - 0 5 нм, что позволяет получать изображение частиц во всем диапазоне размеров, соответствующих коллоидным растворам. [19]
Период систематического увеличения разрешающей способности электронных микроскопов, начало которому было положено в 1931 г. работами Кнолля и Руски, был фактически завершен в 1946 г., когда Хиллиер и Рамберг [1] устранили астигматизм объектива и достигли разрешающей способности, лишь незначительно отличающейся от теоретического предела. Хотя барьер на пути дальнейшего прогресса имеет чисто техническую природу, все же он достаточно грозен для того, чтобы помешать любым существенным улучшениям в прямом направлении. [20]
Что касается до разрешающей способности электронного микроскопа как такового, то она практически ограничивается не только диффракцией, но и аберрациями линз. [22]
Кроме того, и разрешающая способность электронного микроскопа ограничена; поэтому по мере приближения гэ к величине порядка 10 А точность измерений будет катастрофически убывать. В результате оказывается очень трудно надежным образом промерить начальный участок кривой распределения. [23]
Наряду с дифракцией аберрация ограничивает разрешающую способность электронных микроскопов ее современным значением. [24]
Но к несчастью, самая лучшая разрешающая способность электронных микроскопов приближается только к 20 А. [25]
![]() |
Голографическая схема Га-бора.| Оптическая схема при реконструкции. [26] |
Проводимые Табором исследования имели целью увеличение разрешающей способности электронного микроскопа. [27]
К 1946 г. закончился период систематического увеличения разрешающей способности электронных микроскопов, когда устранили астигматизм объектива и достигли разрешающей способности, лишь незначительно отличающейся от теоретического предела. Он определяется компромиссом между дифракцией и сферической аберрацией в электронных линзах. Следовательно, чтобы еще больше повысить разрешающую способность электронных микроскопов, нужно каким-то способом корректировать электронную линзу. Было видвинуто несколько предложений, но они давали надежду лишь на незначительные успехи. [28]
Чтобы определить число кластеров с размерами, значительно меньшими разрешающей способности электронного микроскопа, авторы работ [12-16] воспользовались методом декорирования частиц в парах Zn. Известно, что пары ряда металлов ( Zn, Cd, Hg и др.) при обычных условиях плохо конденсируются на чистых поверхностях, но могут осаждаться на зародышевых агрегациях Ag, Аи, Pd. [29]
Только в некоторых специальных случаях, например при оценке теоретического предела разрешающей способности электронного микроскопа, необходимо использовать методы волновой оптики. [30]