Разрешающая способность - электронный микроскоп
Cтраница 3
Один крайний случай - системы, гетерогенность которых лежит на границе разрешающей способности электронного микроскопа; другой - системы, в которых разделение на фазы при застудневании приводит к образованию крупных вакуолей, обнаруживаемых микроскопически. [31]
Дефект, или источник разрушения, лежит, вероятно, за пределом разрешающей способности электронного микроскопа и, вероятно, находится на молекулярном уровне. Фокус окружен областью, похожей на зеркальную; эта область часто содержит длинные узкие линии ( линии раздира), расходящиеся радиально от фокуса и распространяющиеся через всю параболу ортогонально ко вторичному фронту разрушения. Линии раздира отмечают границы между элементами разрушения, расходящимися на различных уровнях внутри парабол. Линии раздира и источники разрушения отражают главные деформационные процессы, на которые расходуется энергия разрушения. [33]
Таким образом, если исходить из соотношения дли ны волн, то разрешающую способность электронного микроскопа можно было бы увеличить примерно в 100000 раз по сравнению с разрешающей способностью оптического микроскопа. [34]
Одна из наиболее важных практических трудностей в дифракционной микроскопии и в любом методе улучшения разрешающей способности электронных микроскопов связана с требованием высокого постоянства расположения фокуса. Кроме того, электронные линзы не так стабильны, как стеклянные, они испытывают флуктуации и, наконец, не ахроматичны. В столь высокой стабильности нет необходимости в электростатических микроскопах с постоянным потенциалом, где фокусное расстояние остается фиксированным. Но даже здесь менее жесткие требования к стабильности связаны с очень большой глубиной резкости электронных объективов, обусловленной малостью апертурных углов. [35]
На базе этого позднее возникла целая отрасль науки - электронная оптика, лежащая в основе расчетов разнообразных электронных устройств, и в первую очередь разрешающей способности электронных микроскопов. [36]
Возможность наблюдения отдельных атомов не раз обсуждалась в печати ( см., например, [1-3]), причем большинство авторов приходило к заключению, что при разрешающей способности электронного микроскопа около 3 А атомы тяжелых элементов вполне могут быть разрешены. Наттинг [4] отмечает, что практическое осуществление подобных опытов можно себе представить, если такой атом будет расположен в центре большой плоской молекулы, окруженный атомами элементов с малым атомным номером. Впрочем, добавляет он, сомнительно, чтобы видение изолированного атома имело научное значение. [37]
Электронная микроскопия относится к прямым методам исследования структуры вещества, так как в электронном микроскопе можно видеть макромолекулы полимеров, их взаимное расположение и кристаллические образования типа сферолитов и др. Это связано с высокой разрешающей способностью электронных микроскопов, которая на несколько порядков выше, чем у оптических микроскопов. [38]
Изменение структуры, а в отдельных случаях и полная амор-физация композиционного материала вызывается либо химическим взаимодействием активизированных в процессе эмиссии частиц металла и полимера в вакууме, что приводит к образованию метал-лоорганических соединений, либо настолько тонким диспергированием компонентов в системе, что размеры их частиц меньше разрешающей способности электронного микроскопа. [39]
 |
Сравнительная схема хода лучей в световом ( а и магнитном электронном ( б микроскопах. [40] |
В этом приборе вместо световых лучей используются электронные, имеющие также волновую природу, а вместо стеклянных линз - электронные линзы. Разрешающая способность электронного микроскопа определяется принципиально так же, как и светового. [41]
 |
Схема получения слепка с поверхности металла для изучения его структуры при помощи электронного микроскопа. [42] |
В последнее время под электронным микроскопом изучают тонкие пленки исследуемого металла, в той или иной степени прозрачные для электронного луча. В этом случае разрешающая способность электронного микроскопа близка к величине межатомных расстояний. [43]
В последнее время стали изучать под электронным микроскопом тонкие пленки исследуемого металла, в той или иной степени прозрачные для электронного луча. В этом случае разрешающая способность электронного микроскопа близка к величине межатомных расстояний. [44]
Хрс матическая / и сферическая аберрации в проекционной линзе не играют заметной / рОЛИ) так как предметом для проекционной линзы служит промежуточное изображение, уже увеличенное объективной линзой. Таким образом, разрешающая способность электронного микроскопа определяется только аберрациями объектива. Но благодаря тому, что конечное изображение в электронном микроскопе бывает значительных размеров, электроны, образующие его наружные части, движутся под относительно большими углами к оптической оси прибора и на краях изображения могут быть заметны искажения, связанные с косым ходом электронных пучков. Эти искажения несколько ухудшают подобие между предметом и изображением, но при принятом в электронной микроскопии устройстве проекционной части они невелики и не играют значительной роли. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5