Cтраница 1
Электронное излучение рассеивается ядрами атомов и тем сильнее, чем выше заряд ядра, поэтому электронография дает сведения о положении ядер молекулы. Совместное рассмотрение данных рентгенографии и электронографии позволяет выяснить характер отклонения положения центра электронной плотности атома от положения его ядра - деформацию электронной плотности. Нейтронное излучение, в отличие от рентгеновского и электронного, ощутимо рассеивается ядрами атомов водорода и подходит для нахождения их координат. [1]
Электронное излучение имеет типично волновую природу. [2]
Электронное излучение возникает в результате эмиссии электронов при нагреве. Чтобы получить достаточную освещенность экрана, электронный пучок с помощью конденсора, как показано на рис. 57 для метода исследования на просвет, фокусируется на исследуемом объекте. [3]
Электронное излучение строго монохроматично при постоянном напряжении ускоряющего потенциала. Дифракционная картина может наблюдаться на флюоресцирующем экране. Интенсивность очень велика, и экспозиция фотопластинки составляет всего несколько секунд. [4]
Электронное излучение - корпускулярное излучение, состоящее из электронов и ( или) позитронов. [5]
Применяя электронное излучение в препаративной химии, важно определить среднюю дозу во всех частях облучаемого образца. Глубина проникновения электронного излучения прямо пропорциональна энергии электронов и обратно пропорциональна плотности облучаемого вещества. Глубина проникновения 1 г / см2 равносильна 1 см пробега в воде. Электроны с энергией 1 Мэв обладают максимальной проникающей способностью 0 5 г / см2 или пробегом приблизительно 0 5 см в воде. [6]
При электронном излучении необходимо обратить внимание еще на один эффект. Поскольку масса электрона мала, любое столкновение будет сопровождаться передачей значительного момента от налетающего электрона. [8]
Фотоэлектроны - электронное излучение, возникающее при фотоэлектрическом взаимодействии фотонного излучения с веществом. [9]
При использовании электронного излучения эффективность радиационной обработки зависит от энергии электронов. Малая проникающая способность электронов даже весьма высоких энергий ограничивает их применение. [10]
При использовании электронного излучения усложняется аппаратурное оформление процесса вследствие малой проникающей способности электронов, которые практически полностью поглощаются стенками любого аппарата. Поэтому предпочтительнее облучать полимер в средах, которые не влияют или слабо влияют на процесс сшивания полиэтилена, так как этим определяются экономичность технологии и свойства получаемой продукции. [11]
По геометрии дифракция электронного излучения аналогична дифракции рентгеновских лучей, описанной в разд. [12]
С помощью источника электронного излучения ( электронной пушки, ускорителя) на изделиях различной конфигурации получают очень тонкие покрытия ( до 1 мкм) пз различных мономеров, в частности органосн-локсанов. Покрытия образуются в заполненной парами мономера вакуум-камере [ разрежение 133 - 1.3 3 мп. [13]
С помощью источника электронного излучения ( электронной пушки, ускорителя) на изделиях различной конфигурации получают очень тонкие покрытия ( до 1 мкм) из различных мономеров, в частности органосп-локсанов. [14]
![]() |
Зависимость средней энергии Е от максимальной энергии. 0 ( Мэв ( 3-излучения. [15] |