Электронное излучение
Cтраница 2
Труднее рассчитывать дозы электронного излучения, если речь идет о вычислении распределения доз в пределах слоя вещества, толщина которого сравнима с длиной пробега р-частиц. [16]
По геометрии дифракция электронного излучения аналогична дифракции рентгеновских лучей, описанной в разд. [17]
Специфической особенностью действия электронного излучения на изоляционные материалы является самопроизвольно развивающийся в них электрорадиационный пробой без приложения внешнего электрического поля. Практическая важность учета этого явления заключается в том, что в области торможения монохроматических электронов создаются условия для постепенного накопления электрического заряда высокой плотности с последующим пробоем, который на определенной глубине материала или изделия создает широко разветвленную сеть трещин и каналов с выходом к поверхности, разрушая, таким образом, материал. [18]
При исследовании влияния электронного излучения на изоляцию из полиэтилена низкой плотности ( ПЭН-1, ПЭН-2 и др.) было установлено значительное возрастание ее электрической прочности. [19]
Установки поверочные дозиметрические фотонного и электронного излучения. [20]
 |
Рассчитанные границы экспозиционного профиля для линий шириной 2 мкм а слое позитивного хинондиазидного резиста толщиной 0 8 мкм ( / - расстояние от центра линии. [21] |
С точки зрения литографии электронное излучение интересно главным образом тем, что его длина волны на несколько порядков меньше, чем УФ-излучения, поэтому с помощью пучка электронов можно в принципе сформировать изображение на несколько порядков меньшее, чем с помощью света. Электронным пучком легко управлять, его можно сфокусировать в пятно диаметром менее 10 нм. Такая фокусировка необходима для формирования топологического рисунка с субмикронными размерами элементов. [22]
 |
Рассчитанные границы экспозиционного профиля для линий шириной 2 мкм в слое позитивного хннондиазидного резиста толщиной 0 6 мкм ( / - расстояние от центра линии. [23] |
С точки зрения литографии электронное излучение интересно главным образом тем, что его длина волны на несколько порядков меньше, чем УФ-излучения, поэтому с помощью пучка электронов можно в принципе сформировать изображение на несколько порядков меньшее, чем с помощью света. Электронным пучком легко управлять, его можно сфокусировать в пятно диаметром менее 10 нм. Такая фокусировка необходима для формирования топологического рисунка с субмикронными размерами элементов. [24]
Так как для поддержания ненарушенного электронного излучения абсолютно необходим высокий вакуум, значительно повышенные давления газа, например 5 - 10 мм ртутного столба, могут поддерживаться в этой реакционной камере без риска слишком сильно исказить контрастность изображения. Наблюдение за реакцией производится на флуоресцирующем экране. [25]
Рассеяние электронов ведет к распространению электронного излучения по всем направлениям. [26]
Таким образом, промышленное применение электронного излучения ограничивается облучением тонкостенных изделий, листовых, профильных материалов. Толщина этих изделий должна быть меньше длины пробега электронов в применяемых материалах. При энергии электронов 2 МэВ равномерная радиационная обработка полиэтилена может быть проведена на глубину около 10 мм. [27]
Для бестигельной зонной плавки с помощью электронного излучения образец в виде вертикально поставленного стержня соединяют с положительным полюсом высоковольтного источника напряжений и окружают кольцевым катодом, который может перемещаться вдоль образца вверх. Эмиттируемые электроны фокусируются на небольшую зону образца, которая плавится и поддерживается поверхностным натяжением. В этом случае образец вместе с устройством для электронной бомбардировки помещают внутрь плавильной камеры, соединенной с вакуумной системой. [28]
В зависимости от свойств я-донора, характеристик электронного излучения и режимов последующих обработок получают негативный ( полимеризацией я-донора) или позитивный ( сублимацией не-полимеризующегося я-донора или его растворением слабополярным растворителем) микрорельеф. Рельеф имеет четкий край, разрешение лучше 1 мкм. Первоначальный слой - - электропроводящий, а полученные негативные структуры - диэлектрики. При экспонировании наблюдают потерю слоем окраски, что делает возможным визуальный контроль. Хлоридные комплексы проявляют чувствительность примерно в 5 раз большую, чем бромидные. Чувствительность может быть повышена уменьшением содержания галогена в слое. [29]
При предположении о формально экспоненциальном законе ослабления электронного излучения или при пренебрежении ослаблением расчеты, приведенные выше и относящиеся к у-излучению, в принципе справедливы и для р-лучей. С другой стороны, ослабление сложных р-спектров не является строго экспоненциальным. Следовательно, расчет распределения интенсивностей для электронного излучения дает только приближенные значения, которые лишь более или менее точно соответствуют действительным величинам. [30]
Страницы: 1 2 3 4