Рекомбинационное излучение

Cтраница 1

Рекомбинационное излучение в лазерном режиме рассмотрено в гл. [1]

Рекомбинационное излучение может возникать и при экситонномв поглощении света. И в этом случае акты поглощения и излучения разделены процессом передачи энергии в кристалле на расстояния порядка многих постоянных решеток. [3]

Рекомбинационное излучение GaP впервые было обнаружено Вольфом, Хебертом и Бродером [802], однако в этом направлении не проводилось интенсивных исследований до тех пор, пока Гриммейс и Шольц [274] не сообщили о получении внешнего квантового выхода 1 5 % на светодиодах, излучающих красный свет. Фосфиду галлия уделено значительное внимание в гл. [4]

Рекомбинационное излучение полупроводников возникает или при рекомбинации электрона и дырки непосредственно или при рекомбинации электрона и дырки через центр. [5]

Рекомбинационное излучение светоизлучающих диодов из карбида кремния, арсенида или фосфида галлия может быть весьма интенсивным и лежит в инфракрасной, красной, зеленой и синей частях спектра. Светодиод начинает испускать свет, как только подается прямое напряжение, причем с ростом тока интенсивность свечения увеличивается. [6]

Рекомбинационным излучением обладают твердые люминес-цирующие вещества - люминофоры. [7]

Схема расположения темных и светящихся зон в тлеющем разряде и изменение характеристик электрического поля ( напряженности X, потенциала V, плотности пространственного заряда р и р и плотности тока i и i - в зависимости от расстояния х между электродами. [8]

Однако рекомбинационное излучение имеет в общем малую интенсивность. С удалением от границы свечения количество быстрых электронов уменьшается и интенсивность свечения падает. [9]

Спектр рекомбинационного излучения зависит от зонной структуры, спектра электронов и дырок, их энергетического распределения. [10]

Итак, рекомбинационное излучение представляет собой высвечивание возбужденной молекулы или иона, пришедших в возбужденное состояние за счет энергии, выделяющейся при рекомбинации разноименно заряженных частиц. [11]

Метод измерения рекомбинационного излучения основан на том, что при инжекции носителей зарядов через р-п переход в п и р областях структуры возникает рекомбинационное излучение. [12]

Схема включения фототриода. [13]

Под источниками рекомбинационного излучения понимают приборы с электронно-дырочными переходами, которые испускают свет при прохождении через них прямого тока. [14]

Исследование спектра рекомбинационного излучения ПЛ в процессе генерации дает богатую информацию. [15]

Страницы: 1 2 3 4