Рекомбинационное излучение

Cтраница 2

Спектр рекомбинационного излучения в состоянии насыщения. сплошная линия соответствует сильному полю, пунктирная - слабому. [16]

Выражение для интенсивности рекомбинационного излучения в чистом полупроводнике при переходах зона - зона. [17]

Для выяснения природы рекомбинационного излучения было измерено поглощение. На рис. 2 представлена зависимость J / D / ( / zv), где D - оптическая плотность в относительных единицах. [18]

Для выяснения природы рекомбинационного излучения было измерено поглощение. На рис. 2 представлена зависимость ] / D f ( hv), где D - оптическая плотность в относительных единицах. [19]

Спектральная зависимость интенсивности рекомбинационного излучения полупроводника в присутствии сильного поля обладает существенными особенностями. Действительно, как показано в [89], интенсивность рекомбинационного излучения резко уменьшается ( в пределе до нуля) в области cok - fij 2X из-за обращения в нуль плотности состояний. Причина подавления реком-бинацонного излучения аналогична причине подавления поглощения слабого поля. [20]

Структурная схема установки для регистрации инфракрасного излучения из структуры. [21]

Для одновременного наблюдения интенсивности рекомбинационного излучения из различных участков кремниевой структуры используются электронно-оптические преобразователи ЭОП. Ре-комбинационное излучение преобразуется в ЭОП в электрический сигнал, усиливается, преобразуется в видимый свет и попадает на фотопленку. Каждый участок фотопленки соответствует определенному участку полупроводниковой структуры. [22]

Пик при 6250 А обусловлен рекомбинационным излучением между Те-донорами и Si-акцепторами. [23]

Характерно, что при изучении полос рекомбинационного излучения в примесной области спектра, связанного с переходами дырок из валентной зоны на уровни дислокационного происхождения, в [ 5401 определено положение двух уровней, удаленных на 0 22 и 0 14 эВ от дна зоны проводимости. Кроме того, получены сведения, которые указывают на существование уровня ( или системы уровней) на глубине - 0 18 эВ от дна зоны проводимости. [24]

Согласно линейной теории ПЛ спектр и интенсивность рекомбинационного излучения должны оставаться неизменными после превышения порога генерации. Нетрудно понять, что изменения ФРК и спектра квазичастиц в ПЛ в режиме сильного поля должны приводить к характерным особенностям. Например, появление горба ФРК вызывает усиление рекомбинации при частотах, больших частоты генерации; щель в спектре возбуждений приводит к провалу в спектре излучения вблизи частоты моды. [25]

Спектр рекомбинационного излучения ПЛ в режиме сильного поля. [26]

Таким образом, в лазерном режиме интенсивность рекомбинационного излучения с частотой coifi 2X растет с током накачки. Особенно резкий рост следует ожидать при f 7кр, когда происходит быстрое накопление квазичастиц. [27]

В основе принципа их действия лежит так называемое рекомбинационное излучение - излучение квантов света при прямых рекомбинационных актах пар электрон - дырка. Для интенсивной рекомбинации необходимо одновременно иметь высокую плотность электронов в зоне проводимости и высокую плотность свободных уровней ( дырок) в валентной зоне. Можно предположить, что такие условия создаются при высоком уровне инжекции электронов в дырочный полупроводник с высокой концентрацией акцепторов. [28]

Наиболее распространенным в настоящее время является метод регистрации рекомбинационного излучения, описанный в § 1.7. При этом методе также могут быть использованы специально изготовленные образцы, как и при зондовом методе. Можно говорить, что в этом случае металлический зонд заменяется оптическим. Однако более удобно измерять скорость распространения включенного состояния методом регистрации рекомбинационного излучения со стороны катодной поверхности тиристора. Для этого катодную поверхность тиристора на отдельных малых участках круглой формы оставляют неметаллизированной. Эти участки подобно островкам могут быть равномерно распределены по всей площади тиристора. При включении тиристора на заданном участке появляется рекомбинационное излучение, которое и фиксируется. Зная расстояние между различными неметаллизированными участками катодной поверхности и фиксируя моменты времени, соответствующие включению тиристора на этих участках, можно рассчитать скорость распространения включенного состояния. [29]

В [27] чтобы выяснить возможность возникновения ОС при поглощении рекомбинационного излучения р - - перехода в базе диода, исследовался арсенид галлия, легированный хромом. [30]

Страницы: 1 2 3 4