Рекомбинационное излучение

Cтраница 3

В настоящее время считается, что ответственными за возникновение рекомбинационного излучения являются не только рассмотренные выше процессы, но и так называемые экситоны. [31]

В настоящее время считается, что ответственными за возникновение рекомбинационного излучения являются не только рассмотренные выше процессы, но и экситоны. Экситоны образуются в том случае, если энергия поглощаемого кванта меньше ЕЦ-EI и образовавшаяся пара электрон-дырка остается связанной, иначе говоря, экситон - это некоторое возбужденное состояние ( подобное возбужденному состоянию атома водорода), способное перемещаться по кристаллу и локализоваться в его определенных местах, например на активаторе. Благодаря энергии, подведенной экситоном, центр люминесценции может прийти в возбужденное состояние; последующие процессы описаны выше. [32]

Основной вклад в фото-лонизацию возбужденных атомов в дальней прекурсорной области вносит рекомбинационное излучение, испускаемое при захвате электронов в плазме за фронтом на возбужденные уровни. [33]

Схема возможных излучательных переходов в полупроводнике а-орямые. б - через примесный центр. [34]

Поэтому одна из основных технологичеких задач при получении эффективных приборов, использующих рекомбинационное излучение, - это обеспечение благоприятных условий для излу-чательных квантовых переходов ( точное легирование необходимыми примесями) и очистка от нежелательных примесей и дефектов, с участием которых происходят безызлучательные переходы. [35]

В работе Грехова И. В. и Уварова А. И. [2], в которой был использован метод рекомбинационного излучения, исследована неоднородность распределения плотности тока в тиристорных структурах. [36]

Метод поляризованной люминесценции основан на измерении степени ( р) циркулярной поляризации рекомбинационного излучения ( люминесценции) с участием ориентированных носителей. [37]

Спектральный состав излучения кристаллофосфоров может складываться по крайней мере из следующих слагаемых: рекомбинационного излучения на активаторе, свечения, обусловленного наличием других дефектов кристаллической решетки, и краевого свечения. [38]

Далее будет показано, что в случае межзонных переходов имеется близкое сходство между тепловым и рекомбинационным излучением. Фактически при не слишком высоких уровнях инжекции величину последнего можно вычислить, зная первое. [39]

Принадлежность фотолюминесценции к первому типу - излучению дискретных центров, или ко второму - рекомбинационному излучению определяется закономерностью затухания фотолюминесценции. [40]

Часто бывает необходимо знать также полную ( проинтегрированную по всем частотам) потерю энергии на рекомбинационное излучение. [41]

Спектр фотолюмннисцен-ции CdS. /. - бесфононная линия связанного экситона. [42]

Рассмотрим форму линии примесной излучательной рекомбинации, что важно для определения энергетического положения примесного состояния по спектрам рекомбинационного излучения. Если имеются мелкие примесные состояния, то их удобнее интерпретировать по излучательным переходам типа примесь-дальняя зона, а не примесь-ближняя зона. [43]

Рассмотрим фэрму линии примесной излучательной рекомбинации, что важно для определения энергетического положения примесного состояния по спектрам рекомбинационного излучения. Если имеются мелкие примесные состояния, то их удобнее интерпретировать по излучательным переходам типа примесь - дальняя зона, а не примесь - ближняя зона. [44]

В приближении (34.65) ( g ( n, co) l) легко найти также полную интенсивность рекомбинационного излучения. [45]

Страницы: 1 2 3 4