Рекомбинационное излучение

Cтраница 4

Рассмотрим фэрму линии примесной излучательной рекомбинации, что важно для определения энергетического положения примесного состояния по спектрам рекомбинационного излучения. Если имеются мелкие примесные состояния, то их удобнее интерпретировать по излучательным переходам типа примесь - дальняя зона, а не примесь - ближняя зона. [46]

Это иллюстрирует рис, 2.7.27. Бонхэм показал, что нарушение закона подобия может быть связано с тем обстоятельством, что рекомбинационное излучение поглощается в зоне плазмы, расположенной в иной области кристалла по отношению к зоне, эмитирующей излучение. Подобное же мнение высказывается авторами работы [351], которые получили параметрическое представление вольт-амперных зависимостей. Изучение графика тока J j при двойной инжекции показывает, что зависимость IgJ от lg ( / является нелинейной. А это означает нарушение закона подобия. Аналогичный результат, полученный в работе Хелфриха и Шней-дера [154], показан на рис. 3.2.24. Расчетные данные рис. 2.7.29, приводимые без пояснений, иллюстрируют, насколько удачно указанный подход [351] согласуется с основными экспериментальными результатами, показанными на рис. 2.7.28, особенно в области нелинейности. [47]

ПП, у к-рых максимум валентной зоны и минимум зоны проводимости располагаются при одинаковых ( или близких) значениях ( см. Рекомбинационное излучение), напр, соединение GaAs. В таком материале р - 7г - переход ( толщиной в неск. [48]

В современных условиях, когда широко используются мощные источники возбуждения и интенсивно исследуются стимулированное излучение, усиленная люминесценция и генерация, термин рекомбинационное излучение представляется неудачным и его нельзя использовать как синоним люминесценции. [49]

При этом существенной особенностью течения является возникновение неравновесной области за фронтом ударной волны, где газ приобретает свойства плазмы, а возникающее рекомбинационное излучение оказывает существенное влияние на структуру волны. [50]

Метод измерения рекомбинационного излучения основан на том, что при инжекции носителей зарядов через р-п переход в п и р областях структуры возникает рекомбинационное излучение. [51]

В эксперименте резкое различие между двумя видами проявляется в величине постоянной времени: тепловое излучение характеризуется тепловой постоянной времени образца, тогда как рекомбинационное излучение можно модулировать с частотой, ограниченной временем жизни носителей, которое на много порядков величины короче. [52]

Большой интерес представляет исследование термически неравновесного пограничного слоя, в особенности, при малой плотности газа и высоких его температурах порядка 12000 К, когда рекомбинационное излучение может стать для некоторых газов больше, чем в случае термического равновесия. [53]

В связи с этим у таких полупроводников, как арсенид галлия, арсенид индия, коэффициент поглощения очень велик, время жизни свободных носителей в зонах мало, а рекомбинационное излучение отличается большой интенсивностью. [54]

Подобные состояния называются мета-дениого излучения. Рекомбинационное излучение возникает как следствие воссоединения двух частей центра свечения, отделенных друг от друга при возбуждении. Такова рекомбинация электрона н иона, образовавшихся в результате ионизации, или двух частей диссоциированной молекулы, разъединенных при возбуждении. Энергия, затраченная па ионизацию или диссоциацию, выделяется при воссоединении разделенных частиц и приводит в состояние возбуждения частицу люминофора - ш н или молекулу, которая далее дает излучение, соответствующее одному из двух первых рассмотренных выше видов свечения. Характерная особенность рекомбинационного свечения состоит в том, что разъединенные в момент возбуждении части при рекомбинации возвращаются обычно не к своим прежним партнерам, а к другим, образовавшимся в другом акте возбуждения. [55]

Зависимости содержания AlAs в твердых растворах Al - Ga As от. [56]

Структура такого СЭ включает дополнительный слой 3 с уменьшением Ед к облучаемой поверхности, в узкозонной части которого осуществляется фотолюминесцентное преобразование солнечного излучения. Рекомбинационное излучение проходит через слой 3 до р - re - перехода практически без поглощения. [57]

Образцы для измерения спектров отражения и поглощения зеркально полируются при механической или химико-механической обработке. Для исследования спектров рекомбинационного излучения применяются свежепротравленные или свежесколотые поверхности. Для измерения спектров поглощения очень важен вопрос о выборе толщины образца. [58]

Страницы: 1 2 3 4