Орбитальный вклад

Cтраница 1

Механизм спиновой поляризации. обменные электронные взаимодействия приводят к тому, что конфигурация ( а имеет более низкую энергию, чем конфигурация i ( 6. [1]

Орбитальный вклад в 5р2 - гибридные орбитали составляет одну треть. [2]

Именно орбитальный вклад в магнитный момент частицы меняет условия резонанса, что проявляется в значении g - фактора ( Ланде), и это первая характеристика спектра ЭПР. Второй важнейшей чертой, содержащей большую информацию, является сверхтонкая структура спектра, обусловленная электрон-ядерным спин-спиновым взаимодействием. [3]

Сопоставление электронных конфигураций двухвалентного кобальта в тетраэдрических и плоских квадратных комплексах. [4]

Это объясняется заметным орбитальным вкладом. Несмотря на такое дополнительное затруднение, оба типа комплексов легко можно различить. [5]

В большинстве свободных радикалов орбитальные вклады в магнитные моменты очень малы либо вследствие того, что молекулы обладают низкой симметрией, либо из-за снятия вырождения в результате эффекта Яна - Теллера в тех случаях, когда симметрия молекулы допускает существование вырожденных уровней энергии. Кроме того, спин-орбитальное взаимодействие в свободных радикалах часто очень мало. [6]

В этом разделе мы рассмотрим орбитальные вклады, а также анизотропию магнитной восприимчивости для молекул низкой симметрии. [7]

Таким образом, во многих комплексах орбитальный вклад в значительной степени гасится кристаллическим полем. Известна очень простая модель, которая позволяет предсказать, в каком случае полного гашения орбитального момента не происходит. Если электрон может занимать вырожденные орбитали и, следовательно, вращаться вокруг оси, то он будет характеризоваться орбитальным угловым моментом. На орбитали, на которую перемещается электрон, не должно быть электрона с таким же самым спином. [8]

В веществах с нормальными значениями спина орбитальный вклад в магнитный момент систематически оказывается меньше теоретических величин, вычисленных на основе модели кристаллического поля. [9]

Для описания нуклонного октета и низшего декуп-лета орбитальный вклад не нужен, однако уже следующая серия уровней с отрицательной четностью интерпретируется как набор состояний, получающих четность и часть полного момента от первого возбуждения орбитального момента. [10]

В-третьих, при детальном расчете магнитной восприимчивости орбитальный вклад в магнитный момент [ выражение (9.10) ] должен быть уменьшен по той же самой причине, по которой уменьшается спин-орбитальное взаимодействие. Необходимость уменьшения всех этих величин увеличивает эмпирический характер теории кристаллического поля, однако ни в коей мере не умаляет того большого успеха, которого эта теория достигла в корреляции обширного количества данных спектральных, магнитных, термодинамических и кинетических исследований. [11]

Таким образом, обычно можно предсказать величину орбитального вклада в магнитный момент. [12]

Процесс сложения моментов позволяет определить все комбинации отдельных спиновых и орбитальных вкладов, приводящие к полному угловому моменту атома. К счастью, эта громоздкая задача может быть существенно упрощена. Во-первых, упрощение связано с тем, что остов атома ( электроны всех оболочек, кроме валентной) имеет нулевой угловой момент, поскольку спины всех электронов спарены и оболочки полностью заполнены. Следующее упрощение основано на предположении о существовании двух идеальных схем сложения угловых моментов. [13]

Поэтому превышение над чисто спиновым значением должно явиться результатом орбитального вклада первого возбужденного уровня. Заметим, если комплекс тетрагонально искажен, с - орбиталь лежит много выше, чем для плоских квадратных комплексов, что объясняет наблю-даемые в последнем случае более высокие магнитные моменты. [14]

Поэтому превышение над чисто спиновым значением должно явиться результатом орбитального вклада первого возбужденного уровня. Заметим, если комплекс тетрагонально искажен, с ( г2 - орбиталь лежит много выше, чем для плоских квадратных комплексов, что объясняет наблюдаемые в последнем случае более высокие магнитные моменты. [15]

Страницы: 1 2 3 4