Орбитальный вклад

Cтраница 4

Спектр ЭПР ( первая производная поглощения ион-радикалов NH. [46]

В оригинале используется термин электронный спиновый резонанс, поскольку способ описания эффекта основан на теории спинового момента электрона. Даже при наличии орбитального вклада применяется спин-гамильтониан. При этом рассматривают эффективный спин, содержащий вклад от орбитального и спинового моментов. [47]

Для спин-спаренных октаэдрических комплексов экспериментально наблюдаемые моменты значительно ближе к вычисленным по чисто спиновой формуле, так как конфигурация основного состояния dld не допускает орбитального вклада в магнитный момент. Поэтому превышение над чисто спиновым значением должно явиться результатом орбитального вклада первого возбужденного уровня. Заметим, если комплекс тетрагонально искажен, й - орбиталь лежит много выше, чем для плоских квадратных комплексов, что объясняет наблюдаемые в последнем случае более высокие магнитные моменты. [48]

Наблюдаемые моменты для спин-спаренных октаэдрических комплексов значительно ближе к чисто спиновым значениям, поскольку конфигурация основного состояния tl & e не допускает орбитального вклада в магнитный момент. Если значения гораздо больше 1 73р, это вызвано орбитальным вкладом первого возбужденного уровня tlge. Следует указать, что наличие сильного эффекта Яна - Теллера для основного состояния свидетельствует о том, что эти комплексы в действительности не являются окта-эдрическими. [49]

Однако под влиянием спин-орбитального взаимодействия основное состояние получает некоторую примесь возбужденных состояний; в нашем случае к Big-состоянию примешиваются B2g - и - состояния ( стр. Последние, как происходящие от 72й - терма, в совокупности вносят орбитальный вклад в магнитный момент и g - фактор системы. [50]

Как следует из ряда теоретических расчетов [172, 199], последнее может быть обусловлено обменным взаимодействием редкоземельной подрешетки с подрешетками железа. В [199] показано, что для ЕизРезО появляющийся в результате обменного взаимодействия орбитальный вклад 4 / - оболочки в ГЭП доминирует. Поэтому ГЭП зависит от температуры, и эта зависимость подобна функции Бриллюэна. [51]

Страницы: 1 2 3 4