Полупроводниковый стабилитрон

Cтраница 1

Полупроводниковые стабилитроны, работающие в режиме пробоя р-п перехода, можно успешно использовать в качестве стабилизаторов напряжения. Различные типы стабилитронов имеют номинальные напряжения пробоя от 2 4 до 200 В с допустимым отклонением 5 - 20 % номинального значения. В стабилизаторах этого типа используется нелинейное свойство вольт-амперных характеристик стабилитронов, а именно свойство сохранять почти постоянным напряжение при изменении тока через прибор, при этом изменяется сопротивление стабилитрона по постоянному току, определяемое как результат деления напряжения пробоя на ток, протекающий через стабилитрон. Так как напряжение почти постоянно, то сопротивление уменьшается с ростом тока и, напротив, увеличивается, если ток уменьшается. [1]

Полупроводниковый стабилитрон - полупроводниковый диод, напряжение на котором в области электрического пробоя слабо зависит от тока и который служит для стабилизации напряжения. [2]

Полупроводниковые стабилитроны выпускают на напряжения от 0 1 до 190 б и выше при токах от 0 1 ма до 2 а. Дифференциальное сопротивление полупроводниковых стабилитронов колеблется от 0 1 до 500 ом. [3]

Полупроводниковые стабилитроны подразделяют на стабилитроны общего назначения малой мощности ( РМанс 0 3 вт), предназначенные в основном для работы в качестве источников опорного напряжения в схемах компенсационных стабилизаторов напряжения, и стабилитроны средней мощности ( Рыакс - 03 - т - 5 вт), которые могут быть использованы в схемах параметрических стабилизаторов напряжения. Промышленностью выпускаются различные типы полупроводниковых стабилитронов на рабочее напряжение от 5 до 120 в с допустимой мощностью рассеяния от десятков милливатт до 5 вт. [4]

Полупроводниковые стабилитроны имеют преимущества перед газовыми стабилитронами - высокую механическую прочность и малые габариты. [5]

Полупроводниковые стабилитроны ( кремниевые стабилитроны) находят более широкое применение, так как по сравнению с. Сюда следует отнести: малые размеры и массу, возможность микроминиатюризации, отсутствие необходимости в зажигании ( напряжение зажигания выше рабочего), отсутствие на вольт-амперной характеристике участка с отрицательным наклоном, отсутствие эффекта старения. [6]

Полупроводниковый диод типа Д7.| Полупроводниковый стабилитрон. [7]

Полупроводниковый стабилитрон представляет собой плоскостной диод, изготовленный из кремния с большой концентрацией примесей. [8]

Вольт-амперная характеристика кремниевого стабилитрона ( а, условное изображение и полярность питающего напряжения стабилитрона ( б, комбинация последовательно включенных р-п переходов, используемая для уменьшения осст стабилитрона ( а.| Зависимость аст от напряжения стабилизации. [9]

Полупроводниковые стабилитроны, как и электровакуумные стабилитроны тлеющего разряда ( § 11 - 3), предназначаются для стабилизации напряжения. [10]

Практически полупроводниковый стабилитрон может обеспечить & ст, равный нескольким десяткам. [11]

Конструктивные ва рианты детекторных диодов.| Статическая характеристика полупроводникового стабилитрона. [12]

Такой полупроводниковый стабилитрон по большинству параметров превосходит газоразрядный ( табл. 3 - 1), и, главное, он может S. U шие рабочие напряжения, что совершенно необходимо в транзисторных схемах, практически всегда низковольтных. [13]

Статическая характеристика полупроводникового стабилитрона. [14]

Такой полупроводниковый стабилитрон по большинству параметров превосходит газоразрядный ( табл. 3 - 1) и, главное, может иметь несравненно меньшие рабочие напряжения, что совершенно необходимо в транзисторных схемах, практически всегда низковольтных. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5