Полупроводниковый стабилитрон

Cтраница 2

Вольт-амперные характеристики кремниевого стабилитрона. полная ( а и рабочая ( б. [16]

Функции полупроводниковых стабилитронов выполняют кремниевые диоды ( см. § 1.4) с повышенным содержанием донорных и акцепторных примесей. Благодаря повышенной концентрации носителей ( электронов и дырок) p - n - переход получается достаточно узким. Поэтому уже при относительно небольших обратных напряжениях в p - n - переходе появляется настолько большая напряженность электрического поля, что становится возможным непосредственный переход электронов от одного слоя полупроводника к другому ( туннельный эффект) или лавинообразное размножение носителей. [17]

Для любого полупроводникового стабилитрона существует значение тока, при котором минимален температурный дрейф его напряжения. Обычно именно при этом токе в технических условиях на стабилитрон приводятся его дрейфовые параметры. [18]

В полупроводниковых стабилитронах, служащих для уменьшения пульсаций постоянного напряжения, используется слабая зависимость обратного напряжения p - n - перехода в режиме электрического пробоя ( участок аб) от величины тока ( рис. В. [19]

Исключение составляют полупроводниковый стабилитрон к лавинный транзистор, для которых электрический ( но не тепловой. [20]

Максимальный ток полупроводникового стабилитрона ограничен допустимой мощностью рассеяния, одинаковой для диодов данной группы. Поэтому большему номинальному напряжению соответствует меньший допустимый ток. [21]

Параллельное соединение полупроводниковых стабилитронов не допускается, так как практически невозможно подобрать два диода с одинаковыми параметрами. Последовательно же можно соединять любое число стабилитронов. [22]

Эквивалентная схема полупроводникового стабилитрона в области пробоя. [23]

Максимальный ток полупроводникового стабилитрона ограничен допустимой мощностью рассеяния. [24]

Опорные диоды ( полупроводниковые стабилитроны), используемые в качестве шунтов, должны иметь трехкратный запас по максимальному току. Может быть применено последовательное включение опорных диодов. Особенно часто этим пользуются в тех случаях, когда напряжение стабилизации одного диода недостаточно. [25]

Схема стабилизации. [26]

Как известно, полупроводниковые стабилитроны представляют собой диоды, работающие в предпробойной части характеристики, обратное напряжение которых держится почти постоянным при значительном изменении тока стабилитрона. [27]

Отечественная промышленность выпускает полупроводниковые стабилитроны типов Д219С, Д220С, Д223С, Д808 - Д811, Д813 - Д818, КС133А, КС139А, КС156А, КС168А, КС 196, КС433А, К. [28]

Предельные эксплуатационные параметры полупроводниковых стабилитронов оцениваются максимально допустимой мощностью Рст. Эти параметры зависят от температуры, при которой стабилитроны используются: с повышением температуры максимально допустимые значения мощности и тока стабилизации заметно уменьшаются. [29]

Ганна; RD - полупроводниковый стабилитрон; SD - полупроводниковый диод; SL - светодиод; SV - варактор, VD - варистор; V - новый полупроводниковый прибор. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5